[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法

说明书

有源矩阵基板具备基板(1)、包含多个第1TFT(10)的周边电路、以及多个第2TFT(20)，第1和第2TFT(10、20)各自具有：栅极电极(3A、3B)；栅极绝缘层(5)；氧化物半导体层(7A、7B)，其包含沟道区域(7Ac、7Bc)和位于沟道区域的两侧的源极接触区域(7As、7Bs)和漏极接触区域(7Ad、7Bd)；源极电极(8A、8B)，其与源极接触区域接触；以及漏极电极(9A、9B)，其与漏极接触区域接触，第1TFT和第2TFT的氧化物半导体层由同一氧化物半导体膜形成，第1TFT的沟道区域(7Ac)中的载流子浓度比第2TFT的沟道区域(7Bc)中的载流子浓度高。

技术领域

本发明涉及有源矩阵基板及其制造方法。

背景技术

液晶显示装置等所使用的有源矩阵基板具有：具有多个像素的显示区域；以及显示区域以外的区域(非显示区域或边框区域)。在显示区域中按每个像素具备薄膜晶体管(Thin Film Transistor；以下，称为“TFT”)等开关元件。作为这种开关元件，以往以来广泛使用将非晶硅膜作为活性层的TFT(以下，称为“非晶硅TFT”)、将多晶硅膜作为活性层的TFT(以下，称为“多晶硅TFT”)。

作为TFT的活性层的材料，已提出使用氧化物半导体来代替非晶硅、多晶硅。将这种TFT称为“氧化物半导体TFT”。氧化物半导体具有比非晶硅高的迁移率。因此，氧化物半导体TFT能比非晶硅TFT高速地动作。

在有源矩阵基板的非显示区域，有时会单片(一体)地形成驱动电路等周边电路。通过单片地形成驱动电路，实现由非显示区域的窄小化、安装工序简化所带来的成本降低。例如，在非显示区域中，有时会单片地形成栅极驱动器电路，以COG(Chip on Glass：玻璃上芯片)方式安装源极驱动器电路。

在智能手机等窄边框化要求高的设备中，已提出不仅单片地形成栅极驱动器而且还单片地形成源极切换(Source Shared Driving：SSD；源极共享驱动)电路等多路分配电路(Demultiplexer Circuit)。SSD电路是从来自源极驱动器的各端子的1个视频信号线向多个源极配线分配视频数据的电路。通过搭载SSD电路，能使非显示区域中的配置端子部和配线的区域(端子部/配线形成区域)更窄。另外，来自源极驱动器的输出数量减少，能减小电路规模，因此能减少驱动器IC的成本。

驱动电路、SSD电路等周边电路包含TFT。在本说明书中，将在显示区域的各像素中作为开关元件配置的TFT称为“像素TFT”，将构成周边电路的TFT称为“电路TFT”。另外，将电路TFT中的构成驱动电路的TFT称为“驱动电路用TFT”，将在多路分配电路(SSD电路)中用作开关元件的TFT称为“DMX电路用TFT”。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2011/118079号

发明内容

发明要解决的问题

在使用了氧化物半导体TFT作为像素TFT的有源矩阵基板中，从制造工艺的观点来说，优选驱动电路用TFT和DMX电路用TFT也是与像素TFT使用相同氧化物半导体膜且利用共同的工艺形成。

然而，本申请的发明人研究的结果是，DMX电路用TFT所要求的特性与像素TFT、驱动电路用TFT所要求的特性不同。因此，当将与像素TFT、驱动电路用TFT同样的氧化物半导体TFT用作DMX电路用TFT时，有时实现具有期望的性能的多路分配电路是困难的。详细后述。

这样，在具备用途不同的多个TFT的有源矩阵基板中，希望使用同一氧化物半导体膜分别制作具有不同的特性的多个氧化物半导体TFT，使得各TFT能根据用途而具有所要求的特性。