[发明专利]光电转换元件以及光电转换元件的制造方法

权利要求书

1.一种光电转换元件的制造方法，包括：

准备半导体基板的工序，上述半导体基板具有n型半导体部和与上述n型半导体部一起构成二极管的p型半导体部；

在上述n型半导体部的至少一部分形成n侧基底导电层的工序；

在上述p型半导体部的至少一部分形成p侧基底导电层的工序；以及

在电连接至电源正极的两个镀覆电极之间，将上述n侧基底导电层和上述p侧基底导电层同时浸渍于电镀液中，使得上述半导体基板设置在上述两个镀覆电极中的第一镀覆电极与上述两个镀覆电极中的第二镀覆电极之间，其中，上述n侧基底导电层对置上述第一镀覆电极并且上述p侧基底导电层对置上述第二镀覆电极的工序；

在上述n侧基底导电层和上述p侧基底导电层仅通过上述二极管电连接的状态下，通过对上述n侧基底导电层进行供电，从而在上述n侧基底导电层的至少一部分和上述p侧基底导电层的至少一部分同时形成镀层的工序。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件的制造方法，其中，

上述光电转换元件具有第一主面和与上述第一主面对置的第二主面，

上述n型半导体部被设置在上述半导体基板的上述第一主面侧，

上述p型半导体部被设置在上述半导体基板的上述第二主面侧，

在形成上述n侧基底导电层的工序中，在上述n型半导体部的上述第一主面侧形成上述n侧基底导电层，

在形成上述p侧基底导电层的工序中，在上述p型半导体部的上述第二主面侧形成上述p侧基底导电层，

在形成上述镀层的工序中，在上述n侧基底导电层的上述第一主面侧和上述p侧基底导电层的上述第二主面侧形成上述镀层。

3.根据权利要求1所述的光电转换元件的制造方法，其中，

上述n型半导体部和上述p型半导体部被设置在上述半导体基板的同一主面侧。

4.根据权利要求1所述的光电转换元件的制造方法，其中，

在形成上述n侧基底导电层的工序中，使用透明电极层来形成上述n侧基底导电层。

5.根据权利要求1所述的光电转换元件的制造方法，其中，

在形成上述p侧基底导电层的工序中，使用透明电极层来形成上述p侧基底导电层。

6. 根据权利要求1～5中的任意一项所述的光电转换元件的制造方法，其中，

在形成上述p侧基底导电层的工序中，使上述p侧基底导电层的膜厚比上述n侧基底导电层的膜厚形成得厚，或者

在形成上述n侧基底导电层的工序中，使上述n侧基底导电层的膜厚比上述p侧基底导电层的膜厚形成得薄。

7.根据权利要求1～5中的任意一项所述的光电转换元件的制造方法，其中，

在形成上述镀层的工序中，使形成于上述n侧基底导电层的上述镀层的膜厚比形成于上述p侧基底导电层的上述镀层的膜厚形成得厚。

8.根据权利要求1～5中的任意一项所述的光电转换元件的制造方法，其中，

在准备上述半导体基板的工序中，准备在上述n型半导体部与上述p型半导体部之间具有本征半导体部的半导体基板，

上述p型半导体部、上述本征半导体部以及上述n型半导体部构成PIN结二极管。

9.根据权利要求1～3中的任意一项所述的光电转换元件的制造方法，其中，

在形成上述n侧基底导电层的工序之前，包括在上述n型半导体部形成第一透明电极层的工序。

10.根据权利要求1～3中的任意一项所述的光电转换元件的制造方法，其中，

在形成上述p侧基底导电层的工序之前，包括在上述p型半导体部形成第二透明电极层的工序。

11.根据权利要求1～5中的任意一项所述的光电转换元件的制造方法，其中，

在形成上述n侧基底导电层的工序之后，包括在上述n型半导体部形成第一绝缘层的工序。