[发明专利]光电转换元件以及光电转换元件的制造方法

说明书

本公开的光电转换元件的制造方法包括：准备半导体基板的工序，上述半导体基板具有n型半导体部和与上述n型半导体部一起构成二极管的p型半导体部；在上述n型半导体部的至少一部分形成n侧基底导电层的工序；在上述p型半导体部的至少一部分形成p侧基底导电层的工序；以及将上述n侧基底导电层和上述p侧基底导电层浸渍于电镀液中，并在上述n侧基底导电层和上述p侧基底导电层仅通过上述二极管电连接的状态下，通过对上述n侧基底导电层进行供电，从而在上述n侧基底导电层的至少一部分和上述p侧基底导电层的至少一部分形成镀层的工序。

技术领域

本发明涉及光电转换元件以及光电转换元件的制造方法。

背景技术

在下述专利文献1中公开了包括以下的工序的太阳能电池的制造方法。首先，在形成光电转换层后，在光电转换层的表面以及侧面形成第一透明电极层。之后，在光电转换层的背面以及侧面形成第二透明电极层。之后，在第二透明电极层上形成金属层。之后，在第一透明电极层上形成基底电极层。之后，通过将基底电极层、金属层浸在电镀液中，并从金属层侧进行供电，由此在光电转换层的侧面同时镀覆与金属层电连接的基底电极层和金属层。之后，将形成在光电转换层的侧面的第一透明电极层、第二透明电极层、金属层、基底电极层除去。

专利文献1:日本特开2015－82603号公报

然而，在以往的太阳能电池的制造方法中，问题在于其制造效率较低。即，在上述以往的制造方法中，为了成为不使形成于光电转换层的表背面且在光电转换层的侧面相互连接的电极短路的结构，需要将最终形成在光电转换层的侧面的第一透明电极层、第二透明电极层、金属层、基底电极层除去的工序，因此导致其制造效率降低。

发明内容

本发明是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于提高光电转换元件的制造效率。

(1)本公开的光电转换元件的制造方法包括：准备半导体基板的工序，上述半导体基板具有n型半导体部和与上述n型半导体部一起构成二极管的p型半导体部；在上述n型半导体部的至少一部分形成n侧基底导电层的工序；在上述p型半导体部的至少一部分形成p侧基底导电层的工序；以及将上述n侧基底导电层和上述p侧基底导电层浸渍于电镀液中，并在上述n侧基底导电层和上述p侧基底导电层仅通过上述二极管电连接的状态下，通过对上述n侧基底导电层进行供电，从而在上述n侧基底导电层的至少一部分和上述p侧基底导电层的至少一部分形成镀层的工序。

(2)在上述光电转换元件的制造方法中，上述光电转换元件可以具有第一主面和与上述第一主面对置的第二主面，上述n型半导体部被设置在上述半导体基板的上述第一主面侧，上述p型半导体部被设置在上述半导体基板的上述第二主面侧，在形成上述n侧基底导电层的工序中，在上述n型半导体部的上述第一主面侧形成上述n侧基底导电层，在形成上述p侧基底导电层的工序中，在上述p型半导体部的上述第二主面侧形成上述p侧基底导电层，在形成上述镀层的工序中，在上述n侧基底导电层的上述第一主面侧和上述p侧基底导电层的上述第二主面侧形成上述镀层。

(3)在上述光电转换元件的制造方法中，上述n型半导体部和上述p型半导体部可以被设置在上述半导体基板的同一主面侧。

(4)在上述光电转换元件的制造方法中，在形成上述n侧基底导电层的工序中，可以使用透明电极层来形成上述n侧基底导电层。

(5)在上述光电转换元件的制造方法中，在形成上述p侧基底导电层的工序中，也可以使用透明电极层来形成上述p侧基底导电层。

(6)在上述光电转换元件的制造方法中，在形成上述p侧基底导电层的工序中，可以使上述p侧基底导电层的膜厚比上述n侧基底导电层的膜厚形成得厚，或者在形成上述n侧基底导电层的工序中，使上述n侧基底导电层的膜厚比上述p侧基底导电层的膜厚形成得薄。

(7)在上述光电转换元件的制造方法中，可以在形成上述镀层的工序中，使形成于上述n侧基底导电层的上述镀层的膜厚比形成于上述p侧基底导电层的上述镀层的膜厚形成得厚。