[发明专利]场效应晶体管、其制造方法、显示元件、显示设备以及系统

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括：

半导体膜，在基底上形成；

栅极绝缘膜，在所述半导体膜的一部分上形成；

栅极电极，在所述栅极绝缘膜上形成；以及

源极电极和漏极电极，与所述半导体膜接触形成，

其中所述源极电极和所述漏极电极的厚度小于所述栅极绝缘膜的厚度，以及

所述栅极绝缘膜包括不与所述源极电极或所述漏极电极接触的区域。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其中所述场效应晶体管是顶栅场效应晶体管。

3.如权利要求1或2所述的场效应晶体管，其中所述栅极绝缘膜包括其宽度窄于所述栅极电极的宽度的区域。

4.如权利要求1至3中任一项所述的场效应晶体管，其中所述栅电极包括多个层。

5.如权利要求4所述的场效应晶体管，其中所述多个层的宽度朝着所述栅极绝缘膜逐层变窄。

6.一种场效应晶体管，包括：

半导体膜，在基底上形成；

栅极绝缘膜，在所述半导体膜的一部分上形成；

栅极电极，包括在所述栅极绝缘膜上形成的多个层；以及

源极电极和漏极电极，与所述半导体膜接触形成，

其中所述多个层的宽度朝着所述栅极绝缘膜逐层变窄，

所述源极电极和所述漏极电极的厚度小于所述栅极绝缘膜和除最上层之外的所述栅极电极的总厚度，以及

所述栅极绝缘膜包括不与所述源极电极或所述漏极电极接触的区域。

7.如权利要求1至6中任一项所述的场效应晶体管，包括在所述栅极电极上形成，并由与所述源极电极和所述漏极电极的材料相同的材料制成的导电膜。

8.如权利要求1至7中任一项所述的场效应晶体管，其中所述半导体膜包括氧化物半导体。

9.一种显示元件，包括：

驱动电路；以及

光控制元件，被配置为根据来自所述驱动电路的驱动信号控制光输出，

其中所述光控制元件由如权利要求1至8中任一项所述的场效应晶体管驱动。

10.如权利要求9所述的显示元件，其中所述光控制元件是电致发光元件、电致变色元件、液晶元件、电泳元件或电浸润元件。

11.一种显示设备，包括：

显示单元，其中布置有多个显示元件，所述多个显示元件中的每一个显示元件是如权利要求9或10所述的显示元件，以及

显示控制单元，被配置为分别控制所述多个显示元件。

12.一种系统，包括：

如权利要求11所述的显示设备；以及

图像数据生成设备，被配置为向所述显示设备供给图像数据。

13.一种用于制造场效应晶体管的方法，包括：

在基底上形成半导体膜；

在所述半导体膜的一部分上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成栅极电极；

通过使用相同的掩模蚀刻图案化所述栅极电极和栅极绝缘膜；以及

形成与所述半导体膜接触的源极电极和漏极电极，

其中，在形成所述源极电极和所述漏极电极时，形成所述源极电极和所述漏极电极，使得所述源极电极和所述漏极电极的厚度小于所述栅极绝缘膜的厚度，并且所述栅极绝缘薄膜具有不与所述源极电极或者所述漏极电极接触的区域。

14.如权利要求13所述的用于制造场效应晶体管的方法，其中，在形成所述源极电极和所述漏极电极时，在所述栅极电极上形成由与所述源极电极和所述漏极电极的材料相同的材料制成的导电膜。

15.如权利要求13或14所述的用于制造场效应晶体管的方法，其中

所述栅极电极包括多个导电膜，

在形成所述源极电极和所述漏极电极时，在所述栅极绝缘膜上层叠所述多个导电膜，以及

在所述图案化时，执行蚀刻，使得所述多个导电膜的宽度朝着所述栅极绝缘膜逐层变窄。