[发明专利]场效应晶体管、其制造方法、显示元件、显示设备以及系统

说明书

(目的)使场效应晶体管小型化。(实现目的的手段)一种场效应晶体管，包括在基底上形成的半导体膜、在所述半导体膜的一部分上形成的栅极绝缘膜、在所述栅极绝缘膜上形成的栅极电极，以及与所述半导体膜接触形成的源极电极和漏极电极，其中所述源极电极和所述漏极电极的厚度小于所述栅极绝缘膜的厚度，并且所述栅极绝缘膜包括不与所述源极电极或所述漏极电极接触的区域。

技术领域

本文的公开内容一般而言涉及场效应晶体管、其制造方法、显示元件、显示设备以及系统。

背景技术

场效应晶体管(FET)具有低栅极电流和扁平结构。因此，与双极晶体管相比，FET可以容易地制造并且也可以容易地集成。出于这些原因，场效应晶体管广泛用在现有电子器件中使用的集成电路中。

在这种场效应晶体管中，硅、氧化物半导体和有机半导体用于半导体膜。这种场效应晶体管的示例包括使用具有自对准结构的氧化物半导体膜的场效应晶体管。场效应晶体管具有这样的结构，其中半导体膜被层间绝缘层覆盖，接触孔在层间绝缘层中形成，并且在绝缘层上形成的源极电极和漏极电极通过接触孔连接到源极区域和漏极区域。而且，场效应晶体管的氧化物半导体膜设有沟道形成区域和低电阻区域，低电阻区域具有比沟道形成区域低的电阻。另外，在沟道形成区域和低电阻区域之间形成杂质区域(例如，参见专利文献1)。

[引用列表]

[专利文献]

[NPL1]日本未经审查的专利申请公开No.2013-175710

发明内容

[技术问题]

但是，需要上述场效应晶体管的结构以允许形成接触孔、源极电极和漏极电极的位置的变化。因此，上述场效应晶体管的结构不适合于小型化。另外，假设在沟道形成区域和低电阻区域之间形成杂质区域，那么上述场效应晶体管不适合于小型化。

鉴于上述情况，本发明的实施例的目的是使场效应晶体管小型化。

[解决问题的方法]

场效应晶体管包括在基底上形成的半导体膜、在半导体膜的一部分上形成的栅极绝缘膜、在栅极绝缘膜上形成的栅极电极，以及与半导体膜接触形成的源极电极和漏极电极，其中源极电极和漏极电极的厚度小于栅极绝缘膜的厚度，并且栅极绝缘膜包括不与源极电极或漏极电极接触的区域。

[发明的效果]

根据本公开的至少一个实施例，可以使场效应晶体管小型化。

附图说明

图1A是例示第一实施例的场效应晶体管的图；

图1B是例示第一实施例的场效应晶体管的图；

图2A是例示用于制造第一实施例的场效应晶体管的工艺的图(部分1)；

图2B是例示用于制造第一实施例的场效应晶体管的工艺的图(部分1)；

图2C是例示用于制造第一实施例的场效应晶体管的工艺的图(部分1)；

图2D是例示用于制造第一实施例的场效应晶体管的工艺的图(部分1)；

图3A是例示用于制造第一实施例的场效应晶体管的工艺的图(部分2)；

图3B是例示用于制造第一实施例的场效应晶体管的工艺的图(部分2)；

图3C是例示用于制造第一实施例的场效应晶体管的工艺的图(部分2)；

图4是例示第二实施例的场效应晶体管的横截面视图；

图5是例示第三实施例的场效应晶体管的横截面视图；