[发明专利]蓄电设备和固体电解质层的制造方法在审
| 申请号： | 201880017932.3 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN110419088A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 殿川孝司;津国和之;小笠原树理;佐藤祐树 | 申请（专利权）人： | 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G11/56 | 分类号： | H01G11/56;H01G11/84;H01L49/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物半导体层 固体电解质层 蓄电设备 导电型 配置 固体电解质 充电电压 绝缘物层 蓄电容量 绝缘物 质子 劣化 充电 移动 制造 | ||
1.一种蓄电设备，其特征在于，具备：
第1导电型的第1氧化物半导体层；
固体电解质层，其配置于所述第1氧化物半导体层上、且包含质子能移动的固体电解质；和，
第2导电型的第2氧化物半导体层，其配置于所述固体电解质层上。
2.根据权利要求1所述的蓄电设备，其特征在于，在所述固体电解质层与所述第1氧化物半导体层之间配置有绝缘物层。
3.根据权利要求1所述的蓄电设备，其特征在于，所述固体电解质层中还包含绝缘物。
4.根据权利要求3所述的蓄电设备，其特征在于，所述固体电解质比所述绝缘物还多地存在于所述固体电解质层的所述第2氧化物半导体层侧。
5.根据权利要求1或3所述的蓄电设备，其特征在于，所述固体电解质层包含SiOx。
6.根据权利要求2所述的蓄电设备，其特征在于，所述绝缘物层包含SiNy。
7.根据权利要求2或6所述的蓄电设备，其特征在于，所述绝缘物层的厚度为10nm以下。
8.根据权利要求2、6或7中任一项所述的蓄电设备，其特征在于，所述绝缘物层为非含水性、且为非多孔的等离子体-SiNy。
9.根据权利要求1或3所述的蓄电设备，其特征在于，所述第1氧化物半导体层包含TiO2。
10.根据权利要求1或3所述的蓄电设备，其特征在于，所述第2氧化物半导体层包含NiO。
11.根据权利要求2、6或7中任一项所述的蓄电设备，其特征在于，具备：
第1电极，其配置于所述第1氧化物半导体层的不面对所述绝缘物层的面；和，
第2电极，其配置于所述第2氧化物半导体层的不面对所述固体电解质层的面。
12.根据权利要求5所述的蓄电设备，其特征在于，所述SiOx由硅油形成。
13.根据权利要求5所述的蓄电设备，其特征在于，所述SiOx由包含有机硅的金属形成。
14.根据权利要求1或3所述的蓄电设备，其特征在于，所述固体电解质层是通过包括如下工序而制造的：
将经稀释的硅油涂布于第1氧化物半导体层上的工序；
将经涂布的硅油进行焙烧的工序；和，
对经焙烧的硅油进行紫外线照射的工序。
15.一种固体电解质层的制造方法，其特征在于，其为权利要求1或3所述的所述固体电解质层的制造方法，通过包括如下工序而制造：
将经稀释的硅油进行涂布的工序；
将经涂布的硅油进行焙烧的工序；和，
对经焙烧的硅油进行紫外线照射的工序。
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