[发明专利]正性光致抗蚀剂组合物、由其制造的图案和用于制造图案的方法有效
申请号: | 201880018047.7 | 申请日: | 2018-07-25 |
公开(公告)号: | CN110462516B | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 林敏映;李泰燮;金智慧 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | G03F7/039 | 分类号: | G03F7/039;G03F7/033;G03F7/027;G03F7/004;G03F7/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵丹;蔡胜有 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 正性光致抗蚀剂 组合 制造 图案 用于 方法 | ||
本发明提供了具有优异的储存稳定性、灵敏度、显影特性、耐镀覆性和耐热性的正性光致抗蚀剂组合物。更具体地,将呈具有与所述光致抗蚀剂组合物中包含的树脂相同的重复单元结构的低聚物的形式的特定溶解抑制剂应用于所述组合物。
技术领域
本申请要求于2017年7月31日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0097280号的优先权和权益,其公开内容通过引用整体并入本文。
本发明涉及用于形成厚膜的正性光致抗蚀剂组合物、由其形成的图案和用于制造图案的方法。
背景技术
近来,由于半导体封装已经转变为晶圆级倒装芯片,因此与常规的线接合封装相比,可以提高信号传输速度并减小封装体积。这样的倒装芯片封装通过在半导体芯片上的金属焊盘中使用焊料凸起(bump)或填料代替常规的线接合来处理。
然而,对于使用焊料凸起的倒装芯片封装,需要用于形成厚度为约50μm的厚膜的光致抗蚀剂。此外,当用电解镀覆使焊料凸起或填料生长时,需要这样的光致抗蚀剂具有强的对镀覆溶液的耐受性,并且特别地,需要图案的平直度。
厚膜形成的焊料凸起根据其应用需要尺寸为约20μm至约100μm的图案。为了形成这样的厚膜图案,施加利用混合光或i线步进器的曝光。此时,为了厚膜图案化需要过量的曝光能量。为此,需要施加溶解抑制剂以改善灵敏度同时保持应用于这样的过程的光致抗蚀剂的膜保留率。
为了改善灵敏度,常规地,作为溶解抑制剂的多核酚化合物常规地由缩醛、叔-BOC或叔丁基酯基团保护并被使用。然而,由于这些化合物为低分子物质,因此存在这样的问题:包含其的光致抗蚀剂组合物的热稳定性降低,并且其与树脂不相容。此外,存在这样的问题:在使用所述组合物的镀覆过程中耐镀覆性差,并因此在凸起上形成杂质。
发明内容
技术问题
本发明的一个目的是提供具有优异的储存稳定性、灵敏度、显影特性、耐镀覆性和耐热性的正性光致抗蚀剂组合物。
本发明的另一个目的是提供由所述组合物制造的厚膜光致抗蚀剂图案和用于制造所述图案的方法。
技术方案
为了实现上述目的,本发明的一个实施方案提供了正性光致抗蚀剂组合物,其包含:粘合剂树脂,所述粘合剂树脂包含其中重复单元中引入有碱溶性官能团的聚合物树脂、和基于丙烯酸酯的树脂;低聚物化合物,在所述低聚物化合物中官能团中引入有选自缩醛、叔丁氧基羰基和叔丁基酯中的至少一个保护基团,以及所述低聚物化合物包含与所述聚合物树脂或所述基于丙烯酸酯的树脂相同的重复单元;以及光致产酸剂。
根据本发明的另一个实施方案,提供了由正性光致抗蚀剂组合物制造的光致抗蚀剂图案。
根据本发明的又一个实施方案,可以提供用于使用正性光致抗蚀剂组合物制造光致抗蚀剂图案的方法。
在下文中,将更详细地描述对根据本发明的具体实施方案的正性光致抗蚀剂组合物、由所述组合物制造的光致抗蚀剂图案和用于制造所述图案的方法。
本发明人发现,当将呈具有与光致抗蚀剂组合物中包含的树脂相同的重复单元结构的低聚物的形式的特定溶解抑制剂应用于所述组合物时,光致抗蚀剂组合物可以通过被酸解离来增加在碱性显影溶液中的溶解度,具有优异的与树脂的相容性,并改善热稳定性。此外,发现上述光致抗蚀剂组合物就在镀覆条件下镀覆溶液的防洗脱特性而言是优异的。基于这样的发现完成了本发明。
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