[发明专利]具有平台区域的三维存储器设备的相邻存储器阵列之间的连接区域及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，所述半导体结构包括位于衬底上方的绝缘层和导电层的交替堆叠，其中所述交替堆叠内的所述绝缘层和所述导电层连续延伸到以下中的每一者中：

第一存储器阵列区域，所述第一存储器阵列区域包括延伸穿过所述交替堆叠的第一存储器堆叠结构；

第二存储器阵列区域，所述第二存储器阵列区域包括延伸穿过所述交替堆叠的第二存储器堆叠结构，其中所述第二存储器阵列区域沿着第一水平方向与所述第一存储器阵列区域横向间隔开；

第一平台区域，所述第一平台区域邻接到所述第一存储器阵列区域并且包括所述交替堆叠的第一阶梯式表面；

第二平台区域，所述第二平台区域邻接到所述第二存储器阵列区域并且包括所述交替堆叠的第二阶梯式表面且沿着所述第一水平方向与所述第一平台区域间隔开，其中所述第一平台区域和所述第二平台区域位于所述第一存储器阵列区域和所述第二存储器阵列区域之间；和

连接区域，在所述连接区域内所述交替堆叠内的所述绝缘层和所述导电层中的每一者在所述第一存储器阵列区域和所述第二存储器阵列区域之间连续延伸；

其中：

所述连接区域位于所述第一存储器阵列区域和所述第二存储器阵列区域之间；

所述连接区域沿着垂直于所述第一水平方向的第二水平方向与所述第一平台区域和所述第二平台区域横向间隔开；并且

所述交替堆叠内的每个层在所述连接区域内沿着所述第二水平方向具有相同的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中在所述第一阶梯式表面和所述第二阶梯式表面之间沿着所述第一水平方向的横向分隔距离随着所述交替堆叠中的所述导电层距所述衬底的竖直距离而增加。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括位线，所述位线在所述第二水平方向上延伸，其中：

所述第一存储器阵列区域、所述第二存储器阵列区域、所述连接区域以及所述第一平台区域和所述第二平台区域位于同一存储器平面中；

所述导电层包括在所述第一水平方向上延伸的NAND存储器设备的字线；并且

所述第一存储器堆叠结构和所述第二存储器堆叠结构中的每一者包括竖直半导体沟道和存储器膜。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中：

所述第一存储器阵列区域的第一部分、所述第二存储器阵列区域的第一部分、所述连接区域以及所述第一平台区域和所述第二平台区域位于同一第一存储器块中；并且

所述交替堆叠内的所述绝缘层和所述导电层中的每一者在所述第一存储器块中的所述连接区域中在所述第一存储器阵列区域的所述第一部分和所述第二存储器阵列区域的所述第一部分之间在所述第一水平方向上连续延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

接触通孔结构，所述接触通孔结构接触所述第一平台区域和所述第二平台区域内的所述导电层中的相应一个导电层的顶部表面；和

后向阶梯式介电材料部分，所述后向阶梯式介电材料部分具有平面顶部表面和一对阶梯式底部表面，

其中：

所述后向阶梯式介电材料部分的第一阶梯式底部表面接触所述第一平台区域中的所述第一阶梯式表面；

所述后向阶梯式介电材料部分的第二阶梯式底部表面接触所述第二平台区域中的所述第二阶梯式表面；并且

所述接触通孔结构竖直延伸穿过所述后向阶梯式介电材料部分。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，还包括：

半导体设备，所述半导体设备位于所述衬底的衬底半导体层上；

下部金属互连结构，所述下部金属互连结构嵌入下部介电层中并且电连接到所述半导体设备并位于所述半导体设备上方；和

直通存储器级通孔结构，所述直通存储器级通孔结构延伸穿过所述后向阶梯式介电材料部分并电短接到所述下部金属互连结构中的相应一个下部金属互连结构。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，还包括附加的直通存储器级通孔结构，所述附加的直通存储器级通孔结构延伸穿过所述连接区域中的所述交替堆叠并且电短接到所述下部金属互连结构中的相应一个下部金属互连结构。