[发明专利]半导体粒子、分散物、薄膜、滤光器、建筑用部件及辐射冷却装置

权利要求书

1.一种半导体粒子，其包含：

含有12族元素及16族元素的12-16族半导体、含有13族元素及15族元素的13-15族半导体或含有14族元素的14族半导体，

等离子体频率为1.7×10¹⁴rad/s～4.7×10¹⁴rad/s，

最大长度为1nm～2,000nm。

2.根据权利要求1所述的半导体粒子，其表面具有配体。

3.根据权利要求1或2所述的半导体粒子，其中，

等离子体频率为1.9×10¹⁴rad/s～3.0×10¹⁴rad/s。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体粒子，其包含13-15族半导体。

5.根据权利要求4所述的半导体粒子，其包含：选自包括InP、InGaP、GaN、InGaN、InAs、InSb及GaAs的组中的至少一种半导体。

6.根据权利要求4或5所述的半导体粒子，其包含InP。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体粒子，其中，

载流子浓度为6.5×10¹⁸cm^-3～5×10¹⁹cm^-3。

8.根据权利要求7所述的半导体粒子，其中，

载流子浓度为8×10¹⁸cm^-3～2×10¹⁹cm^-3。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体粒子，其还含有掺杂剂。

10.根据权利要求9所述的半导体粒子，其中，

所述掺杂剂为选自包括Sn、C、Si、S、Se、Te、Mg及Zn的组中的至少一种。

11.根据权利要求9或10所述的半导体粒子，其中，

所述掺杂剂为Sn。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体粒子，其中，

所述最大长度为1nm～1,000nm。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体粒子，其中，

所述最大长度为5nm～100nm。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的半导体粒子，其具有壳层。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的半导体粒子，其中，

在5μm～15μm的波长范围的透射率中具有极小透射波长。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的半导体粒子，其为远红外线吸收材料形成用半导体粒子。

17.根据权利要求1至15中任一项所述的半导体粒子，其为远红外线反射材料形成用半导体粒子。

18.一种分散物，其包含权利要求1至17中任一项所述的半导体粒子及介质。

19.一种薄膜，其包含权利要求1至17中任一项所述的半导体粒子。

20.一种滤光器，其包含权利要求1至17中任一项所述的半导体粒子。

21.一种建筑用部件，其包含权利要求1至17中任一项所述的半导体粒子。

22.一种辐射冷却装置，其包含权利要求1至17中任一项所述的半导体粒子。