[发明专利]半导体粒子、分散物、薄膜、滤光器、建筑用部件及辐射冷却装置在审
申请号: | 201880019481.7 | 申请日: | 2018-03-02 |
公开(公告)号: | CN110475916A | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 小野雅司;安田英纪 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | C30B29/40 | 分类号: | C30B29/40;G02B5/22 |
代理公司: | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 褚瑶杨;庞东成<国际申请>=PCT/JP |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 族元素 半导体 半导体粒子 等离子体频率 辐射冷却装置 建筑用部件 分散物 滤光器 薄膜 | ||
1.一种半导体粒子,其包含:
含有12族元素及16族元素的12-16族半导体、含有13族元素及15族元素的13-15族半导体或含有14族元素的14族半导体,
等离子体频率为1.7×1014rad/s~4.7×1014rad/s,
最大长度为1nm~2,000nm。
2.根据权利要求1所述的半导体粒子,其表面具有配体。
3.根据权利要求1或2所述的半导体粒子,其中,
等离子体频率为1.9×1014rad/s~3.0×1014rad/s。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体粒子,其包含13-15族半导体。
5.根据权利要求4所述的半导体粒子,其包含:选自包括InP、InGaP、GaN、InGaN、InAs、InSb及GaAs的组中的至少一种半导体。
6.根据权利要求4或5所述的半导体粒子,其包含InP。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体粒子,其中,
载流子浓度为6.5×1018cm-3~5×1019cm-3。
8.根据权利要求7所述的半导体粒子,其中,
载流子浓度为8×1018cm-3~2×1019cm-3。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体粒子,其还含有掺杂剂。
10.根据权利要求9所述的半导体粒子,其中,
所述掺杂剂为选自包括Sn、C、Si、S、Se、Te、Mg及Zn的组中的至少一种。
11.根据权利要求9或10所述的半导体粒子,其中,
所述掺杂剂为Sn。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体粒子,其中,
所述最大长度为1nm~1,000nm。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体粒子,其中,
所述最大长度为5nm~100nm。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的半导体粒子,其具有壳层。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的半导体粒子,其中,
在5μm~15μm的波长范围的透射率中具有极小透射波长。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的半导体粒子,其为远红外线吸收材料形成用半导体粒子。
17.根据权利要求1至15中任一项所述的半导体粒子,其为远红外线反射材料形成用半导体粒子。
18.一种分散物,其包含权利要求1至17中任一项所述的半导体粒子及介质。
19.一种薄膜,其包含权利要求1至17中任一项所述的半导体粒子。
20.一种滤光器,其包含权利要求1至17中任一项所述的半导体粒子。
21.一种建筑用部件,其包含权利要求1至17中任一项所述的半导体粒子。
22.一种辐射冷却装置,其包含权利要求1至17中任一项所述的半导体粒子。
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