[发明专利]半导体粒子、分散物、薄膜、滤光器、建筑用部件及辐射冷却装置在审

专利信息
申请号: 201880019481.7 申请日: 2018-03-02
公开(公告)号: CN110475916A 公开(公告)日: 2019-11-19
发明(设计)人: 小野雅司;安田英纪 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: C30B29/40 分类号: C30B29/40;G02B5/22
代理公司: 11127 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 褚瑶杨;庞东成<国际申请>=PCT/JP
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 族元素 半导体 半导体粒子 等离子体频率 辐射冷却装置 建筑用部件 分散物 滤光器 薄膜
【权利要求书】:

1.一种半导体粒子,其包含:

含有12族元素及16族元素的12-16族半导体、含有13族元素及15族元素的13-15族半导体或含有14族元素的14族半导体,

等离子体频率为1.7×1014rad/s~4.7×1014rad/s,

最大长度为1nm~2,000nm。

2.根据权利要求1所述的半导体粒子,其表面具有配体。

3.根据权利要求1或2所述的半导体粒子,其中,

等离子体频率为1.9×1014rad/s~3.0×1014rad/s。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体粒子,其包含13-15族半导体。

5.根据权利要求4所述的半导体粒子,其包含:选自包括InP、InGaP、GaN、InGaN、InAs、InSb及GaAs的组中的至少一种半导体。

6.根据权利要求4或5所述的半导体粒子,其包含InP。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体粒子,其中,

载流子浓度为6.5×1018cm-3~5×1019cm-3

8.根据权利要求7所述的半导体粒子,其中,

载流子浓度为8×1018cm-3~2×1019cm-3

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体粒子,其还含有掺杂剂。

10.根据权利要求9所述的半导体粒子,其中,

所述掺杂剂为选自包括Sn、C、Si、S、Se、Te、Mg及Zn的组中的至少一种。

11.根据权利要求9或10所述的半导体粒子,其中,

所述掺杂剂为Sn。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体粒子,其中,

所述最大长度为1nm~1,000nm。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体粒子,其中,

所述最大长度为5nm~100nm。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的半导体粒子,其具有壳层。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的半导体粒子,其中,

在5μm~15μm的波长范围的透射率中具有极小透射波长。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的半导体粒子,其为远红外线吸收材料形成用半导体粒子。

17.根据权利要求1至15中任一项所述的半导体粒子,其为远红外线反射材料形成用半导体粒子。

18.一种分散物,其包含权利要求1至17中任一项所述的半导体粒子及介质。

19.一种薄膜,其包含权利要求1至17中任一项所述的半导体粒子。

20.一种滤光器,其包含权利要求1至17中任一项所述的半导体粒子。

21.一种建筑用部件,其包含权利要求1至17中任一项所述的半导体粒子。

22.一种辐射冷却装置,其包含权利要求1至17中任一项所述的半导体粒子。

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