[发明专利]半导体粒子、分散物、薄膜、滤光器、建筑用部件及辐射冷却装置

说明书

本发明提供一种包含含有12族元素及16族元素的12‑16族半导体、含有13族元素及15族元素的13‑15族半导体或含有14族元素的14族半导体，且等离子体频率为1.7×10¹⁴rad/s～4.7×10¹⁴rad/s，最大长度为1nm～2,000nm的半导体粒子、使用上述半导体粒子的分散物、薄膜、滤光器、建筑用部件或辐射冷却装置。

技术领域

本发明涉及一种半导体粒子、分散物、薄膜、滤光器、建筑用部件及辐射冷却装置。

背景技术

研究制造一种选择性地吸收(选择吸收)或选择性地反射(选择反射)远红外区域(波长5μm～15μm)的红外光的材料。

例如，在下述非专利文献1中，记载有使用ITO(氧化铟锡)纳米粒子选择性地吸收波长1μm以上且小于2μm的近红外光的材料。

并且，在下述非专利文献2中，记载有使用SiO₂纳米粒子及SiC纳米粒子中的任一个或两者的、选择性地吸收远红外区域的红外光的材料。

非专利文献1：Kanehara M.Koike H.Yoshinaga T.and Teranishi T.Indium TinOxide Nanoparticles with Compositionally Tunable Surface Plasmon ResonanceFrequencies in the Near-IR Region,Journal of American Chemistry Society,Vol.13117736-17740,200.

非专利文献2：A.R.Gentle and G.B.Smith.Radiative Heat Pumping from theEarth Using Surface Phonon Resonant Nanoparticles,Nanoletters,vol.10 373-379,2010.

发明内容

发明要解决的技术课题

本发明人等发现在使用非专利文献1所示的ITO纳米粒子的情况下，能够选择性地吸收近红外光，但很难吸收远红外光。

并且，本发明人等发现在使用非专利文献2所记载的SiO₂纳米粒子及SiC纳米粒子中的任一个或两者的情况下，可得到吸收各材料所固有的吸收波长的材料，但在远红外光之中，也很难得到吸收任意波长的光的材料。

本发明的实施方式所要解決的问题是提供一种能够选择吸收或选择反射远红外区域的任意地被选择的波长区域的红外光的半导体粒子、使用上述半导体粒子的分散物、薄膜、滤光器、建筑用部件或辐射冷却装置。

用于解决技术课题的手段

用于解决上述问题的方法包括以下方式。

＜1＞一种半导体粒子，其包含含有12族元素及16族元素的12-16族半导体、含有13族元素及15族元素的13-15族半导体或含有14族元素的14族半导体，且等离子体频率为1.7×10¹⁴rad/s～4.7×10¹⁴rad/s，最大长度为1nm～2,000nm。

＜2＞根据上述＜1＞所述的半导体粒子，其表面具有配体。

＜3＞根据上述＜1＞或＜2＞所述的半导体粒子，其中，等离子体频率为1.9×10¹⁴rad/s～3.0×10¹⁴rad/s。

＜4＞根据上述＜1＞～＜3＞中任一项所述的半导体粒子，其包含13-15族半导体。

＜5＞根据上述＜4＞所述的半导体粒子，其包含选自包括InP、InGaP、GaN、InGaN、InAs、InSb及GaAs的组中的至少一种。