[发明专利]半导体器件、制造方法、摄像元件和电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

第一半导体基板，在所述第一半导体基板中，第一布线层堆叠在第一半导体层上；

第二半导体基板，在所述第二半导体基板中，第二布线层堆叠在第二半导体层上；以及

贯通孔，所述贯通孔在通过至少堆叠所述第一半导体基板和所述第二半导体基板而获得的堆叠结构中将所述第一半导体基板和所述第二半导体基板彼此电气连接，且所述贯通孔至少穿过所述第一半导体层，

其中，所述贯通孔形成在嵌入式氧化膜中，所述嵌入式氧化膜是在执行形成于所述第一半导体层中的半导体元件的元件隔离时形成的，

在所述嵌入式氧化膜中，形成所述贯通孔的第一部分的深度比隔离所述半导体元件的第二部分的深度更深。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述贯通孔通过使用与接触电极的导电金属相同的导电金属形成，所述接触电极连接布置在所述第一布线层中的配线和形成在所述第一半导体层中的所述半导体元件。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述贯通孔通过使用与布置在所述第一布线层中的配线的导电金属相同的导电金属形成。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，

其中，形成有所述贯通孔的所述嵌入式氧化膜形成为比形成在所述第一半导体层中的所述半导体元件的元件隔离部深。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，

其中，在所述第一半导体基板的所述第一半导体层中，以不同方式形成第一类型的半导体区域和与所述第一类型不同的第二类型的半导体区域，且在所述第一类型的基板用于所述第一半导体基板的情况下，具有高杂质密度的所述第一类型的层形成在所述第一半导体基板的后表面侧上。

6.一种堆叠结构的半导体器件的制造方法，所述堆叠结构是通过至少堆叠第一半导体基板和第二半导体基板而获得的，在所述第一半导体基板中，第一布线层堆叠在第一半导体层上，在所述第二半导体基板中，第二布线层堆叠在第二半导体层上，

所述制造方法包括以下步骤：

在通过至少堆叠所述第一半导体基板和所述第二半导体基板而获得的所述堆叠结构中，将所述第一半导体基板和所述第二半导体基板彼此电气连接，并且在嵌入式氧化膜中形成至少穿过所述第一半导体层的贯通孔，所述嵌入式氧化膜是在执行形成于所述第一半导体层中的半导体元件的元件隔离时形成的，在所述嵌入式氧化膜中，形成所述贯通孔的第一部分的深度比隔离所述半导体元件的第二部分的深度更深。

7.一种摄像元件，其包括：

传感器基板，在所述传感器基板中，第一布线层堆叠在第一半导体层上；

逻辑基板，在所述逻辑基板中，第二布线层堆叠在第二半导体层上；以及

贯通孔，所述贯通孔在通过至少堆叠所述传感器基板和所述逻辑基板而获得的堆叠结构中将所述传感器基板和所述逻辑基板彼此电气连接，且所述贯通孔至少穿过所述第一半导体层，

其中，所述贯通孔形成在嵌入式氧化膜中，所述嵌入式氧化膜是在执行形成于所述第一半导体层中的半导体元件的元件隔离时形成的，

在所述嵌入式氧化膜中，形成所述贯通孔的第一部分的深度比隔离所述半导体元件的第二部分的深度更深。

8.一种电子设备，其包括摄像元件，所述摄像元件包括：

传感器基板，在所述传感器基板中，第一布线层堆叠在第一半导体层上；

逻辑基板，在所述逻辑基板中，第二布线层堆叠在第二半导体层上；以及

贯通孔，所述贯通孔在通过至少堆叠所述传感器基板和所述逻辑基板而获得的堆叠结构中将所述传感器基板和所述逻辑基板彼此电气连接，且所述贯通孔至少穿过所述第一半导体层，

其中，所述贯通孔形成在嵌入式氧化膜中，所述嵌入式氧化膜是在执行形成于所述第一半导体层中的半导体元件的元件隔离时形成的，

在所述嵌入式氧化膜中，形成所述贯通孔的第一部分的深度比隔离所述半导体元件的第二部分的深度更深。