[发明专利]用于树脂组合物的蚀刻液和蚀刻方法

说明书

本发明的课题在于，在去除包含碱不溶性树脂和无机填充剂的树脂组合物的加工中，提供含有该树脂组合物而成的树脂组合物层的不产生因过度发热而导致的缺陷、且能够仅去除树脂组合物层的蚀刻液或蚀刻方法。蚀刻液，在用于包含碱不溶性树脂和50~80质量%的无机填充剂的树脂组合物的蚀刻液中，该蚀刻液含有15~45质量%的碱金属氢氧化物、更优选进一步含有5~40质量%的乙醇胺化合物。此外，蚀刻方法，使用该蚀刻液，去除包含碱不溶性树脂和无机填充剂的树脂组合物。

技术领域

本发明涉及用于包含碱不溶性树脂和50~80质量%的无机填充材料的树脂组合物的蚀刻液和蚀刻方法。

背景技术

近年来，伴随电子设备的小型化、高性能化，在电路基板中，强烈要求形成微细配线、降低热膨胀系数。其中，作为绝缘材料的低热膨胀系数化的手段，已知将绝缘材料高填充化、即提高绝缘材料中的无机填充材料的含量的方法。进一步，作为绝缘材料，提出了使用包含环氧树脂、苯酚酚醛清漆系固化剂、苯氧基树脂、氰酸酯树脂等、且耐湿性优异的碱不溶性树脂。这些包含无机填充材料和碱不溶性树脂的绝缘性的树脂组合物具有耐热性、介电特性、机械强度、耐化学药品性等优异的物性，被广泛用作在电路基板的外层表面上使用的阻焊剂、在多层增层配线板中使用的层间绝缘材料。

图1是将除了在电路基板上焊接的连接垫3之外的部分用树脂组合物层4覆盖的阻焊剂图案的概略截面结构图。图1所示的结构被称为SMD(Solder Masked Defined，焊接掩膜限定)结构，其特征在于，树脂组合物层4的开口部与连接垫3相比更小。图2所示的结构被称为NSMD(Non Solder Masked Defined，非焊接掩膜限定)结构，其特征在于，树脂组合物层4的开口部与连接垫3相比更大。

图1中的树脂组合物层4的开口部通过去除树脂组合物层中的一部分而形成。作为去除含有包含无机填充材料和碱不溶性树脂的树脂组合物而得到的树脂组合物层的加工方法，可以使用钻孔、激光、等离子体、喷砂等公知的方法。此外，根据需要，还可以组合这些方法。其中，二氧化碳激光、准分子激光、UV激光、YAG激光等利用激光的加工是最常规的，通过激光照射，去除树脂组合物层4中的一部分，能够形成用于形成通孔的贯穿孔、用于形成导通孔的开口部、用于形成连接垫3的开口部等贯穿孔、非贯穿孔(例如参照专利文献1和2)。

然而，在利用激光的照射的加工中，例如在使用二氧化碳激光的情况下，需要大量的照射数，作为后处理，需要使用包含铬酸、高锰酸盐等的水溶液的氧化剂来进行去钻污处理。此外，在使用准分子激光的情况下，加工所需的时间非常长。进一步，在UV-YAG激光的情况下，与其他激光相比，在能够微细加工的方面具有优越性，但存在的问题是，不仅去除树脂组合物层，还同时去除附近存在的金属层。

此外，如果激光照射在树脂组合物层上，则在照射部位光能被物体吸收，根据比热而导致物体过度发热，通过该发热，有时发生树脂的溶解、变形、变质、变色等缺陷。此外，针对该发热，提出了在树脂组合物层中使用热固性树脂，但如果使用热固性树脂，则有时容易在树脂组合物层中产生裂纹。

作为除了激光照射之外的方法，可以举出通过湿式喷砂法而去除树脂组合物层的方法。在绝缘性基板上，在具有连接垫的电路基板上形成树脂组合物层后，实施固化处理，在树脂组合物层上设置用于形成湿式喷砂用掩模的树脂层后，通过曝光、显影，从而形成图案状的湿式喷砂用掩模。接着，通过进行湿式喷砂，从而去除树脂组合物层，形成开口部，接着，去除湿式喷砂用掩模(参照例如专利文献3)。

然而，在利用湿式喷砂的加工中，通过1次喷砂处理而能够研磨的厚度少，需要反复多次喷砂处理。因此，不仅研磨耗费的时间非常长，也难以使得面内的研磨量均匀。进一步，在连接垫上、绝缘性基板上不残留树脂组合物层的残渣而完全露出的高精度加工是极为困难的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-101244号公报