[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体元件；

密封所述半导体元件的封装件；和

金属部件，其与所述半导体元件电连接，并具有从所述封装件的端面突出的突出部，

所述突出部包括：沿着所述封装件的所述端面的横向边缘；沿着该端面的法线方向的纵向边缘；和配置在所述突出部的角部且由与所述横向边缘和所述纵向边缘相连续的边部构成的角边缘，

所述角边缘包括：第一边部，其与所述横向边缘大致垂直地交叉，且向接近所述封装件的所述端面的方向延伸；和第二边部，其具有与所述第一边部大致垂直地交叉的一端和与所述纵向边缘大致垂直地交叉的另一端。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述第一边部与所述第二边部的交叉部形成为弯曲形状。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于：

所述横向边缘与所述第一边部所成的角度θ1、所述第一边部与所述第二边部所成的角度θ2和所述第二边部与所述纵向边缘所成的角度θ3均为90°。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体器件，其特征在于：

所述第一边部的长度L1与所述第二边部的长度L2之比(L1/L2)为1/10～10的范围内。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体器件，其特征在于：

所述突出部的厚度T1为0.1mm～2mm，从所述封装件的所述端面起的所述突出部的突出量L3为0.1mm～2mm。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体器件，其特征在于：

所述第二边部以与所述横向边缘平行的方式形成。

7.如权利要求1～5中任一项所述的半导体器件，其特征在于：

所述第二边部以相对于所述横向边缘倾斜的方式形成。

8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体器件，其特征在于：

所述突出部的端面包括：从所述突出部的背面侧起直到厚度方向中途为止的镀覆区域；和从所述突出部的正面侧起直到所述镀覆区域为止的所述金属部件的基材区域。

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体器件，其特征在于：

所述金属部件的所述突出部包括用于使所述半导体器件产生的热逸散的散热片。

10.如权利要求1～9中任一项所述的半导体器件，其特征在于：

所述半导体元件包括晶体管芯片，

所述金属部件包括与所述晶体管芯片的漏极连接的漏极端子。

11.如权利要求1～10中任一项所述的半导体器件，其特征在于：

所述半导体元件包括晶体管芯片，

所述金属部件包括与所述晶体管芯片的源极连接的源极端子。

12.如权利要求1～11中任一项所述的半导体器件，其特征在于：

所述半导体元件包括晶体管芯片，

所述金属部件包括与所述晶体管芯片的栅极连接的栅极端子。