[发明专利]粘合片

说明书

本发明提供一种粘合片，其具有热膨胀性基材和粘合剂层，所述热膨胀性基材包含树脂及膨胀起始温度(t)为120～250℃的热膨胀性粒子，且为非粘合性，所述粘合剂层包含粘合性树脂，所述热膨胀性基材满足下述要件(1)～(2)。要件(1)：在23℃下，所述热膨胀性基材的储能模量E’(23)为1.0×10⁶Pa以上；要件(2)：在所述热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)下，所述热膨胀性基材的储能模量E’(t)为1.0×10⁷Pa以下。

技术领域

本发明涉及粘合片。

背景技术

粘合片不仅用于对构件半永久地进行固定的用途，而且也有用于在加工建材、内装材料、电子部件等时对它们进行临时固定的临时固定用途的情况。

对于这样的临时固定用途的粘合片，要求兼备使用时的粘接性和使用的剥离性。

例如，专利文献1中公开了一种电子部件切断时的临时固定用加热剥离型粘合片，其是在基材的至少一面设置有含有热膨胀性微球的热膨胀性粘合层而成的。

该加热剥离型粘合片中，相对于热膨胀性粘合层的厚度来调整添加到该粘合层中的热膨胀性微球的最大粒径，将加热前的热膨胀性粘合层表面的中心线平均粗糙度设定为0.4μm以下。

专利文献1中记载了以下内容：该加热剥离型粘合片在电子部件切断时能够确保与被粘附物的接触面积，可以发挥能够防止芯片飞散等粘接不良情况的粘接性，另一方面，在使用后，可以通过加热使热膨胀性微球膨胀，使粘合片与被粘附物的接触面积减少，从而可以容易地进行剥离。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：专利第3594853号公报

发明内容

发明所要解决的问题

近年来，电子设备的小型化、薄型化及高密度化得到发展，对于搭载于电子设备中的半导体装置也要求小型化、薄型化及高密度化。作为能够应对这样要求的半导体封装技术，FOWLP(扇出型晶圆级封装，Fan out Wafer Level Package)受到关注。

如图3所示，FOWLP50是在被密封树脂层52密封的半导体芯片51的表面上设置再布线层53，并经由再布线层53将焊料球54和半导体芯片51电连接的半导体封装。

如图3所示，FOWLP50由于可以将作为焊料球54的端子扩展至半导体芯片51的外侧(扇出)，因此，也可以应用于与半导体芯片51的面积相比端子数多的用途。

但是，在FOWLP的制造工序中，将半导体芯片放置于粘合片上，对于加热至100℃前后的具有流动性的状态的密封树脂进行以下的(1)或(2)的密封工序：(1)将密封树脂填充于半导体芯片及该半导体芯片周边的粘合片的表面上，进行加热，形成由密封树脂构成的层；或者，(2)将密封用树脂膜层迭于半导体芯片上，进行加热并层压。而且，在该密封工序之后，经过去除粘合片、并在露出的半导体芯片侧的表面形成再布线层及焊料球的工序来制造FOWLP。

对于上述的密封工序所使用的粘合片而言，要求在放置半导体芯片之后到用密封树脂进行密封期间不会产生半导体芯片的位置偏移，并且要求在半导体芯片与粘合片的粘接界面具有密封树脂不会侵入程度的粘接性。另一方面，要求在密封后具有能够将粘合片容易地去除的剥离性。

在上述的FOWLP的制造方法的密封工序中，例如还考虑了使用设置有含有热膨胀性微球的热膨胀性粘合层的加热剥离型粘合片。

但是，根据本发明人等的研究可知，在将该加热剥离型粘合片用于上述密封工序的情况下，放置的半导体芯片会沉入粘合片侧。