[发明专利]基板处理方法和存储介质在审
| 申请号： | 201880022445.6 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN110476225A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 高桥信博;浅田泰生;松永淳一郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇<国际申请>=PCT/JP2018 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 晶圆 蚀刻量 侧向蚀刻 交替地层 凹部 种层 | ||
1.一种基板处理方法，是对硅层、氧化硅层及氮化硅层中的至少一种层以及硅锗层露出的基板中的硅锗层进行蚀刻的蚀刻方法，所述蚀刻方法的特征在于，包括以下工序：
在真空气氛的处理容器内对所述基板同时供给含氟气体和三氟化氯气体。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板具备硅层和硅锗层交替地层叠而成并且各层的端面露出的层压结构体。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述含氟气体是从氟化氢气体、三氟化氮气体、氟气体以及六氟化硫的组中选择出的气体。
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述含氟气体的流量相对于三氟化氯气体的流量的流量比，即含氟气体的流量/三氟化氯气体的流量为5以上。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述工序的基板的温度为0.1℃～100℃。
6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述工序的处理容器内的压力为1.3Pa～66.7Pa。
7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述工序之前，包括向基板供给处理气体来将基板的表面的自然氧化膜去除的工序。
8.一种存储介质，存储有由在真空气氛的处理容器内向基板供给气体来进行处理的基板处理装置所使用的计算机程序，所述存储介质的特征在于，
所述计算机程序被编入有步骤组，以实施根据权利要求1所述的基板处理方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
