[发明专利]基板处理方法和存储介质

说明书

本发明提供一种在相对于Si层、SiO₂层以及SiN层中的至少一种层选择性地对形成于晶圆的SiGe层进行蚀刻时使蚀刻量一致的技术。在交替地层叠的SiGe层(100)和Si层(101)在凹部(103)内露出的晶圆(W)中通过侧向蚀刻对SiGe层(100)进行蚀刻时，向晶圆W同时供给ClF₃气体和HF气体。因此，各SiGe层(100)的蚀刻速度变得均匀，能够使各SiGe层(100)的蚀刻量一致。

技术领域

本发明涉及一种对形成于基板的SiGe进行蚀刻的技术。

背景技术

近年来，在半导体的制造工艺中，例如在栅极的形成工序中进行以下工序：对层叠有硅锗(SiGe)层、硅(Si)层的半导体晶圆(以下称作“晶圆”)进行侧向蚀刻，来将SiGe层选择性地去除。作为这样的将SiGe层选择性地去除的方法，例如已知有如专利文献1、2所记载的那样供给三氟化氯(ClF₃)气体来进行蚀刻的方法。关于ClF₃气体，SiGe层相对于Si层、氧化硅(SiO₂)层以及氮化硅(SiN)层的蚀刻选择比高，能够将SiGe层选择性地去除。

另外，在这样的半导体晶圆中，例如在对SiGe层进行蚀刻的预处理中，进行以下工序：对交替地层叠有SiGe层和Si层的晶圆进行蚀刻，来使交替地排列有SiGe层和Si层的面露出。之后，对晶圆供给ClF₃气体来对各SiGe层的一部分进行蚀刻，但存在各SiGe层的蚀刻量不一致的问题，寻求一种应对方法。

专利文献1：日本特表2009-510750号公报

专利文献2：日本特开平1-92385号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是鉴于以下情况而完成的，其目的在于提供一种在相对于硅层、氧化硅层及氮化硅层中的至少一种层选择性地对形成于基板的硅锗层进行蚀刻时使蚀刻量一致的技术。

用于解决问题的方案

本发明的基板处理方法是一种对硅层、氧化硅层及氮化硅层中的至少一种层以及硅锗层露出的基板中的硅锗层进行蚀刻的蚀刻方法，所述方法的特征在于，包括以下工序：

在真空气氛的处理容器内对所述基板同时供给含氟气体和三氟化氯气体。

本发明的存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序由在真空气氛的处理容器内向所述基板供给气体来进行处理的基板处理装置所使用，所述存储介质的特征在于，

所述计算机程序被编入有步骤组，以实施上述的基板处理方法。

发明的效果

本发明在硅层、氧化硅层及氮化硅层中的至少一种层以及硅锗层露出的基板中对硅锗层进行蚀刻时，向基板同时供给含氟气体和三氟化氯气体。因此，硅锗层的蚀刻速度变得均匀，能够使蚀刻量一致。

附图说明

图1是表示具备蚀刻装置的基板处理装置的俯视图。

图2是表示蚀刻装置的截面图。

图3是表示蚀刻处理前的晶圆的表面附近的截面图。

图4是示意性地表示晶圆的自然氧化膜的去除的说明图。

图5是示意性地表示SiGe层的蚀刻的说明图。

图6是示意性地表示蚀刻后的晶圆的说明图。

图7是示意性地表示以往的SiGe层的蚀刻的说明图。