[发明专利]TFT基板、TFT基板的制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种TFT基板，其特征在于，在基板上包括作为TFT沟道的第一半导体膜、与所述第一半导体膜相比靠上层的第一导电体、与所述第一导电体相比靠上层的第一有机绝缘膜、与所述第一有机绝缘膜相比靠上层的第二半导体膜、与所述第二半导体膜相比靠上层的第二导电体、与所述第二导电体相比靠上层的第二有机绝缘膜、与所述第二有机绝缘膜相比靠上层的第三导电体、穿过所述第二有机绝缘膜的通孔以及所述第一有机绝缘膜的通孔，且底面到达所述第一导电体的接触孔，

所述第二有机绝缘膜的通孔的开口表面大于所述第一有机绝缘膜的通孔的开口表面，

所述第二导电体以及所述第三导电体以与所述接触孔的开口表面重叠的方式形成，所述第三导电体与所述第一导电体以及所述第二导电体接触，

所述接触孔穿过所述第二半导体膜的通孔，

所述第二半导体膜的通孔位于所述第一有机绝缘膜的通孔内，

所述第二半导体膜的通孔的开口表面与所述接触孔的底面匹配，

所述第二半导体膜具有与所述接触孔的开口表面重叠的重叠部，所述重叠部与所述第二导电体及所述第三导电体接触，所述重叠部为台阶形状。

2.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，

所述第二半导体膜为岛状，

在俯视图中，所述第一有机绝缘膜的通孔的开口表面位于所述第二半导体膜的外缘的内侧，并且所述第二半导体膜的通孔的开口表面位于所述第一有机绝缘膜的通孔的开口表面的内侧。

3.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，

构成所述第二半导体膜的物质与构成所述第一半导体膜的物质不同。

4.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，

所述第一导电体与所述TFT的导通电极形成在同层。

5.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，

所述第一导电体与所述TFT的导通电极相比形成在上层。

6.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，

所述第一半导体膜由多晶硅构成，所述第二半导体膜由氧化物半导体构成。

7.一种显示装置，其特征在于，

所述显示装置包括权利要求1～6中任一项所述的TFT基板。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，

所述TFT基板上包括OLED层。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，

包括所述第一半导体膜的下层部用于驱动电路，包括所述第二半导体膜的上层部用于像素电路。

10.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，

包括所述第一半导体膜的下层部以及包括所述第二半导体膜的上层部各自用于像素电路。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，

各像素电路包括驱动晶体管、写入控制晶体管以及发光控制晶体管，

所述写入控制晶体管以及所述发光控制晶体管的沟道由所述第一半导体膜构成，所述驱动晶体管的沟道由所述第二半导体膜构成。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，

所述驱动晶体管的导通电极与所述写入控制晶体管的导通电极电连接，

所述驱动晶体管的导通电极与所述发光控制晶体管的导通电极电连接。