[发明专利]TFT基板、TFT基板的制造方法、显示装置

说明书

在下层部和上层部分别包括半导体膜的TFT基板中，实现了下层部的导电体和上层部的导电体之间的稳定连接。在基板上包括作为TFT沟道的第一半导体膜(6)、与第一半导体膜相比靠上层的第一导电体(M1)、与第一导电体相比靠上层的层间绝缘膜(18)、与层间绝缘膜相比靠上层的第二半导体膜(26)、与第二半导体膜相比靠上层的第二导电体(J2)、与第二导电体相比靠上层的有机绝缘膜(32)、与有机绝缘膜相比靠上层的第三导电体(M3)、穿过有机绝缘膜的通孔(H32)以及层间绝缘膜的通孔(H18)，且底面到达第一导电体的接触孔(CH)，有机绝缘膜的通孔的开口表面大于层间绝缘膜的通孔的开口表面，第二导电体(J2)以及第三导电体(M3)以与接触孔的开口表面(K)重叠的方式形成，第三导电体(M3)与第一导电体(M1)以及第二导电体(J2)接触。

技术领域

本发明关于一种含有TFT(薄膜晶体管)的基板。

背景技术

专利文献1公开了一种TFT基板，该TFT基板在下层部和上层部分别包括TFT。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本国公开专利公报“2016-218452号公报(2016年12月22日公开)”

发明内容

本发明所要解决的技术问题

例如，在下层部和上层部分别包括TFT的TFT基板中，需要增加下层部和上层部之间的绝缘膜来抑制寄生电容，但是，这样，存在下层部的导电体和上层部的导电体难以稳定地连接的问题。

用于解决技术问题的技术方案

本发明一形态涉及的TFT基板构成为，在基板上包括作为TFT沟道的第一半导体膜、与所述第一半导体膜相比靠上层的第一导电体、与所述第一导电体相比靠上层的层间绝缘膜、与所述层间绝缘膜相比靠上层的第二半导体膜、与所述第二半导体膜相比靠上层的第二导电体、与所述第二导电体相比靠上层的有机绝缘膜、与所述有机绝缘膜相比靠上层的第三导电体、穿过所述有机绝缘膜的通孔以及所述层间绝缘膜的通孔，且底面到达所述第一导电体的接触孔，所述有机绝缘膜的通孔的开口表面大于所述层间绝缘膜的通孔的开口表面，所述第二导电体以及所述第三导电体以与所述接触孔的开口表面重叠的方式形成，所述第三导电体与所述第一导电体以及所述第二导电体接触。

有益效果

根据本发明的一形态，在下层部包括第一半导体膜，且上层部包括第二半导体膜的TFT基板中，即使在下层部和上层部之间的层间绝缘膜增厚的情况下，下层部的第一导电体和上层部的第二导电体能够稳定地连接。

附图说明

图1是表示本发明第一实施方式涉及的TFT基板的构成的截面图(a)、截面图(b)以及俯视图(c)。

图2是表示本发明第一实施方式涉及的TFT基板的制造方法的流程图。

图3是表示本发明第二实施方式涉及的TFT基板的构成的截面图(a)、截面图(b)以及俯视图(c)。

图4是表示本发明第三实施方式涉及的TFT基板的构成的截面图(a)、截面图(b)以及俯视图(c)。

图5是表示本发明第四实施方式涉及的TFT基板的构成的截面图。

图6是表示本发明第五实施方式涉及的TFT基板的构成的截面图。

图7是表示本发明第一实施方式涉及的显示装置的其它构成的电路图(a)以及截面图(b)。

具体实施方式

以下记载了本发明的多个实施方式，但是这些实施方式仅仅是示例。

[第一实施方式]