[发明专利]功率模块及其制造方法在审
| 申请号： | 201880022963.8 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN110476244A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 畑野舞子;大塚拓一 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L21/52;H01L21/60;H01L23/12;H01L29/12;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11243 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈彦;张默<国际申请>=PCT/JP20 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应力缓和 金属层 半导体器件 厚铜层 接合 厚铜 基板 配置 功率模块 镀层 导电性 固相扩散 扩散接合 接合面 平板状 固着 热阻 嵌入 一体化 | ||
1.一种功率模块，其特征在于，
具备平板状的厚铜基板、配置在所述厚铜基板上的导电性的应力缓和金属层、以及配置在所述应力缓和金属层上的半导体器件，
所述半导体器件与所述应力缓和金属层接合。
2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，
具备配置在所述应力缓和金属层上的镀层，
所述半导体器件隔着所述镀层与所述应力缓和金属层接合。
3.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，
具备配置在所述应力缓和金属层上的Ag烧成层，
所述半导体器件隔着所述Ag烧成层与所述应力缓和金属层接合。
4.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，
具备配置在所述镀层上的Ag烧成层，
所述半导体器件隔着所述Ag烧成层和所述镀层与所述应力缓和金属层接合。
5.根据权利要求2或4所述的功率模块，其特征在于，
所述半导体器件的一部分嵌入所述应力缓和金属层或所述镀层并固着。
6.根据权利要求5所述的功率模块，其特征在于，
所述半导体器件与所述应力缓和金属层或所述镀层的接合面是一体化的。
7.根据权利要求6所述的功率模块，其特征在于，
所述半导体器件按所述半导体器件的厚度的1/3～1/2嵌入所述应力缓和金属层或所述镀层而接合。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的功率模块，其特征在于，
所述应力缓和金属层具备第1铝缓和层。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的功率模块，其特征在于，
所述厚铜基板具备第1厚铜层和配置在所述第1厚铜层上的第2厚铜层，
所述应力缓和金属层配置在所述第2厚铜层上。
10.根据权利要求9所述的功率模块，其特征在于，
具备配置在所述第1厚铜层上的绝缘片层，
所述第2厚铜层配置在所述绝缘片层上。
11.根据权利要求9或10所述的功率模块，其特征在于，
具备配置在所述绝缘片层上的第2铝缓和层，
所述第2厚铜层轧制粘接在所述第2铝缓和层上。
12.根据权利要求9或10所述的功率模块，其特征在于，
具备配置在所述绝缘片层上的第2铝缓和层，
所述第2厚铜层使用溅射技术、冷喷技术或熔射技术粘接在所述第2铝缓和层上。
13.根据权利要求9～11中任一项所述的功率模块，其特征在于，
具备冷却器和配置在所述冷却器上的第1热复合物层，
所述厚铜基板隔着所述第1热复合物层配置在所述冷却器上。
14.根据权利要求9～11中任一项所述的功率模块，其特征在于，
具备冷却器、配置在所述冷却器上的焊锡层、银烧成层或扩散接合层，
所述厚铜基板隔着所述焊锡层、所述银烧成层或所述扩散接合层中的任一种配置在所述冷却器上。
15.根据权利要求8所述的功率模块，其特征在于，
具备夹着所述厚铜基板而与所述第1铝缓和层相对地配置的第2铝缓和层。
16.根据权利要求15所述的功率模块，其特征在于，
具备冷却器和配置在所述冷却器上的绝缘片，
所述厚铜基板配置在所述绝缘片上。
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