[发明专利]电源模块

权利要求书

1.一种电源模块，其特征在于，

具有配置于绝缘基板上且包括至少一组上下臂的半桥电路，并且具备在上述上下臂上均进行了配置的：

第一晶体管；

第二晶体管，其配置于上述绝缘基板上，在上述第一晶体管的栅极侧连接了漏极，在上述第一晶体管的源极侧连接了源极；

第一源极信号用布线图案，其配置于上述绝缘基板上，与上述第一晶体管的源极相连接；

第一连接导体，其连接上述第一源极信号用布线图案与上述第二晶体管的源极；

第二栅极信号用布线图案，其配置于上述绝缘基板上，与上述第二晶体管的栅极相连接；以及

第二连接导体，其连接上述第二栅极信号用布线图案与上述第二晶体管的栅极，

上述第一连接导体的长度为上述第二连接导体的长度以下。

2.根据权利要求1所述的电源模块，其特征在于，

上述第一连接导体和上述第二连接导体具备导线或引线框。

3.根据权利要求1所述的电源模块，其特征在于，

该电源模块至少具备：

第二源极信号用布线图案，其配置于上述绝缘基板上，与上述第二晶体管的源极相连接；

电容器，其配置于上述第一源极信号用布线图案与上述第二源极信号用布线图案之间，用于施加栅极负偏压；

第一栅极信号用布线图案，其配置于上述绝缘基板上，与上述第一晶体管的栅极相连接；

第一信号端子，其与上述第一栅极信号用布线图案相连接；

第二信号端子，其与上述第一源极信号用布线图案相连接；

第三信号端子，其与上述第二栅极信号用布线图案相连接；以及

第四信号端子，其与上述第二源极信号用布线图案相连接，

上述第一连接导体的一端经由上述电容器与上述第一源极信号用布线图案相连接。

4.根据权利要求3所述的电源模块，其特征在于，

具备：

正侧电力端子和负侧电力端子；

第一电极图案，其配置于上述绝缘基板上，与上述正侧电力端子相连接，并且与上述第一晶体管的漏极相连接；

第二电极图案，其配置于上述绝缘基板上，与上述负侧电力端子相连接，并且与串联连接到上述第一晶体管的晶体管的源极相连接；以及

DC链路电容器，其配置于上述第一电极图案与上述第二电极图案之间。

5.根据权利要求4所述的电源模块，其特征在于，

与从上述DC链路电容器的连接部至上述第二晶体管的直线距离相比，从上述DC链路电容器的连接部至上述第一晶体管的直线距离更近。

6.根据权利要求3所述的电源模块，其特征在于，

上述第一信号端子与上述第二信号端子互相邻接，上述第三信号端子与上述第四信号端子互相邻接。

7.一种电源模块，其特征在于，具备：

配置于绝缘基板上的第一布线图案、第二布线图案、第三布线图案以及第四布线图案；

第一晶体管，其配置于上述第一布线图案上并进行开关动作；

第二晶体管，其配置于上述第三布线图案上；

第一连接导体，其连接上述第一晶体管的第一电极与上述第二布线图案；

第二连接导体，其连接上述第二晶体管的第一电极与上述第二布线图案；

第三连接导体，其连接上述第二晶体管的第二电极与上述第四布线图案；以及

第四连接导体，其连接上述第一晶体管的第二电极与上述第三布线图案，上述第二连接导体的长度为上述第三连接导体的长度以下。

8.根据权利要求7所述的电源模块，其特征在于，

上述第一电极具备源极或发射极，

上述第二电极具备栅极。

9.根据权利要求1～7的任一项所述的电源模块，其特征在于，

上述第一晶体管具备SiC系MOSFET、SiC系IGBT、Si系MOSFET、Si系IGBT、GaN系FET的任一个或这些中的不同的多个。