[发明专利]制造多个发射辐射的半导体器件的方法和发射辐射的半导体器件

权利要求书

1.一种用于制造多个发射辐射的半导体器件的方法，所述方法具有如下步骤：

-提供辅助载体(1，1’)，

-将多个发射辐射的半导体芯片(2)借助其背侧施加到所述辅助载体(1，1’)上，

-施加第一灌封料(8)，使得产生半导体芯片复合件，以及

-借助于锯割将所述半导体芯片复合件分别在两个半导体芯片(2)之间分离，其中不分开所述辅助载体(1，1’)，使得至少在所述半导体芯片(2)的侧面上分别产生所述第一灌封料(8)的层。

2.根据上一项权利要求所述的方法，其中

-每个半导体芯片(2)具有辐射可透过的载体(3)，所述载体具有第一主面和侧面，所述第一主面和侧面一起形成所述半导体芯片(2)的辐射出射面，

-所述第一灌封料(8)转换波长地构成，和

-将所述半导体芯片复合件穿过所述第一灌封料(8)分开，使得在所述载体(3)的第一主面和所述载体(3)的侧面上产生转换波长的层(9)。

3.根据上一项权利要求所述的方法，其中

-将第二透明的灌封料(10)施加到所述半导体芯片复合件上，和

-将所述半导体芯片复合件借助于锯割在两个半导体芯片(2)之间穿过透明的灌封料(10)分离，其中不分开所述辅助载体(1，1’)，使得在所述转换波长的层(9)的侧面上产生透明的灌封料(10)的层，所述层具有倾斜的外面。

4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中通过锯割所述第一灌封料(8)或所述第二灌封料(10)产生倾斜的外面，所述外面优选具有凸状的拱曲部。

5.根据权利要求3至4中任一项所述的方法，

其中将所述第二透明的灌封料(10)施加为，使得其填充在所述半导体芯片(2)之间的中间空间，直至所述转换波长的层(9)的表面，使得所述第二透明的灌封料(10)和所述转换波长的层(9)彼此齐平。

6.根据权利要求1所述的方法，其中

所述第一灌封料(8)转换波长地构成，和

将所述第一转换波长的灌封料(8)直至所述辅助载体(1，1’)完全分开。

7.根据权利要求1所述的方法，其中

不将所述第一转换波长的灌封料(8)直至所述辅助载体(1，1’)完全分开，使得所述第一转换波长的灌封料(8)的残留物保留在所述辅助载体(1，1’)上。

8.根据上一项权利要求所述的方法，其中

所述第一转换波长的灌封料(8)沿着垂直方向具有在10微米和100微米之间的厚度，其中包括边界值，其中所述第一转换波长的灌封料在锯割之后保留在所述辅助载体(1，1’)上。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的方法，

其中将所述转换波长的层(9)的外面在分离时倾斜地构成。

10.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中

-将第三反射性的灌封料(12)施加到所述半导体芯片复合件上，和

-将所述半导体芯片复合件借助于锯割在两个半导体芯片(2)之间穿过所述第三反射性的灌封料(12)分开，其中不分开所述辅助载体(1，1’)。

11.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中

-将所述辅助载体(1，1’)移除，使得每个半导体芯片(2)在背侧的至少一个电接触部(7)能自由触及，以及

-电镀地增强每个半导体芯片(2)的至少一个在背侧的电接触部(7)。

12.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其中将半导体芯片(2)施加到所述辅助载体(1，1’)，所述半导体芯片已经设有转换波长的层(9)。