[发明专利]制造多个发射辐射的半导体器件的方法和发射辐射的半导体器件在审
申请号: | 201880023660.8 | 申请日: | 2018-03-21 |
公开(公告)号: | CN110494991A | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 伊瓦尔·通林;托马斯·施勒雷特 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/50;H01L33/48 |
代理公司: | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张春水;丁永凡<国际申请>=PCT/EP |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体芯片 发射辐射 辅助载体 半导体器件 复合件 灌封料 施加 侧面 制造 | ||
提出一种用于制造多个发射辐射的半导体器件的方法,所述方法具有如下步骤:‑提供辅助载体(1,1’),‑将多个发射辐射的半导体芯片(2)借助其背侧施加到辅助载体(1,1’)上,‑施加第一灌封料(8),使得产生半导体芯片复合件,以及‑借助于锯割将半导体芯片复合件分别在两个半导体芯片(2)之间分离,其中辅助载体(1,1’)不分开,使得至少在半导体芯片(2)的侧面上分别产生第一灌封料(8)的层。此外,提出另一方法和一种发射辐射的半导体器件。
技术领域
提出用于制造多个发射辐射的半导体器件的方法和发射辐射的半导体器件。
背景技术
例如在出版物US 2016/0293810 A1中描述用于制造发射辐射的半导体器件的方法和发射辐射的半导体器件。
发明内容
本申请的目的是提出一种简化的用于产生多个发射辐射的半导体器件的制造工艺。此外,应提出具有小的结构形状和侧向的反射器的发射辐射的半导体器件。
所述目的通过具有权利要求1的步骤的方法、具有权利要求13的步骤的方法和具有权利要求20的特征的发射辐射的半导体器件来实现。
所述方法和发射辐射的半导体器件的有利的实施方式和改进方案在相应的从属权利要求中说明。
在用于制造多个发射辐射的半导体器件的方法中,根据一个实施方式提供辅助载体。
根据该方法的一个实施方式,将多个发射辐射的半导体芯片借助其背侧施加到辅助载体上。半导体芯片的背侧通常至少部分地设计用于将制成的半导体器件随后安装到连接载体上。通常,半导体芯片的背侧具有至少一个电接触部。半导体芯片的前侧与半导体芯片的背侧相对置,并且通常至少部分地包括半导体芯片的辐射出射面。
根据该方法的另一实施方式,施加第一灌封料,使得产生半导体芯片复合件。第一灌封件可以借助于模制、浇注或点胶来施加。
最后,将半导体芯片复合件在两个优选直接相邻的半导体芯片之间借助于锯割来分离,其中辅助载体并未分开。在此情况下,至少在半导体芯片的侧面上分别产生第一灌封料的层。第一灌封料的层可以分别完全地或部分地覆盖半导体芯片的侧面。
在此,用半导体芯片复合件不仅表示如下元件,所述元件包括多个半导体芯片和至少一个灌封料并且形成连通的元件。更确切地说,利用术语“半导体芯片复合件”也表示具有多个半导体芯片和在辅助载体上的灌封料的元件,其中借助于分离将灌封料直至辅助载体分开。
辅助载体例如可以具有由钢、金或塑料构成的基本体。基本体例如可以设有粘贴膜,用于固定半导体芯片。此外也可行的是,在辅助载体上喷射液态的粘合剂来固定半导体芯片。
第一灌封料例如可以具有如下材料中的一种或由如下材料中的一种构成:硅树脂、环氧树脂或这两种材料构成的混合物。
根据该方法的一个优选的实施方式,第一灌封料和/或第二灌封料借助于锯割来分离,使得通过锯割第一灌封料和/或第二灌封料形成倾斜的外面,所述外面优选具有凸状的拱曲部。
根据该方法的另一实施方式,第一灌封料转换波长地构成并且半导体芯片复合件通过第一灌封料分离,使得在每个半导体芯片的辐射出射面和侧面上出现转换波长的层。
特别优选地,在此使用半导体芯片,所述半导体芯片构成为倒装芯片。倒装芯片具有载体,所述载体具有第一主面和第二主面,所述第二主面与第一主面相对置。在第二主面上设置有外延半导体层序列,所述外延半导体层序列具有产生辐射的有源区,并且特别优选外延地生长。载体通常至少对于在有源区中产生的电磁辐射可透过地构成。例如,载体具有如下材料中的一种或由如下材料中的一种形成:蓝宝石、碳化硅。
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