[发明专利]洗净水供给装置有效
申请号: | 201880024524.0 | 申请日: | 2018-03-20 |
公开(公告)号: | CN110494959B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 森田博志;颜畅子 | 申请(专利权)人: | 栗田工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 陈曦;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 洗净 供给 装置 | ||
洗净水供给装置,其具有:超纯水线路(1),其以定量流通超纯水;制造部(2),其在该超纯水线路定量添加溶质来制造洗净水;洗净水的贮留槽(4);洗净机(5A~5N),其由贮留槽(4)供给洗净水;及,控制器(2a),其以贮留槽(4)内的水位成为预定范围的方式控制洗净水制造部(2)。
技术领域
本发明涉及在超纯水中添加pH调整剂、氧化还原电位调整剂等,制造且供给半导体晶片等的洗净水的装置,尤其涉及适于制造且供给以极低浓度含有pH调整剂、氧化还原电位调整剂等溶质的晶片洗净水的装置。
背景技术
在半导体晶片的洗净/清洗水工序中,在抑制晶片的带电、金属腐蚀/溶解、微粒子附着的目的下,有使用使酸或碱的pH调整剂、或如氧化剂或还原剂般的氧化还原电位调整剂,以所需最低限度的极低浓度溶解于超纯水的水质调整水作为洗净水(包含清洗水)的情形(例如,专利文献1)。以该洗净水的制造方法而言,也有使H2、O3、CO2、NH3等还原性、氧化性、酸性、或碱性的气体溶解于超纯水的方法,但是由于操作简便,大多采用将使pH调整剂及/或氧化还原电位调整剂溶解于水的药液进行注药的方法。以药液的注药方法而言,有使用泵的方法、使用通过密闭容器与N2等非活性气体进行的加压的方法,任一方法均已被实用化。
若超纯水的流量是一定的,容易以成为所希望浓度的方式添加溶质,但是,在实际上使用稀薄洗净水的洗净机中,以复数个阀的开闭控制被注入至晶片的水的供给/停止,流量会不规则变动。
即使超纯水流动变动,也以稀薄洗净水的溶质浓度在所希望范围内的方式,进行对超纯水流量的比例控制、接受浓度监视器的信号的PID控制等,通过各种手法进行溶质添加控制。但是,尤其在具有复数个洗净腔室的单片式洗净机中,并无法实现可充分追随不规则的流量变动的溶质添加控制,其结果是,有被注入至晶片的洗净水/清洗水的液质大幅背离目的值的情形。
也有使液质稳定化优先且以一定条件制造且持续供给稀薄洗净水的单纯方法,但是,此时会使剩余水直接流出。在最近的多腔室单片洗净机中,瞬间成为必要的最大流量与最低流量的差大,若连续供给最大流量以上的洗净水,会排出相当量的剩余水,在对用排水设备的负担、药液的过度使用/排出方面造成问题。
专利文献1:日本特开2016-139766号公报。
发明内容
本发明的目的在于提供能够稳定供给适于供给至半导体用晶片等的洗净/清洗工序的含有碱/氧化剂等极低浓度的溶质的洗净水,而且不会有使剩余水完全或几乎全排出的情形的洗净水供给装置。
本发明的洗净水供给装置,其具有在超纯水中添加pH调整剂及/或氧化还原电位调整剂来制造一定浓度的洗净水的洗净水制造部,其特征在于,其包括:贮留来自洗净水制造部的洗净水的贮留槽;及,将该贮留槽内的洗净水供给至洗净机的供给机构。
在本发明的一方案中,具有以前述贮留槽内的洗净水位成为预定范围的方式控制前述洗净水制造部的控制机构。
在本发明的一方案中,具有在来自前述洗净水制造部的洗净水的水质为规定范围外时将洗净水制造部导至排出线路的切换机构。
在本发明的一方案中,具有去除部,前述去除部将溶质从来自前述排出线路的排出水中去除而对水进行回收。
在本发明的一方案中,前述控制机构在前述洗净水制造部停止的期间,使超纯水以小流量通水至洗净水制造部。
在本发明的一方案中,前述控制机构将前述洗净水制造部中的洗净水的制造流量预先设定为2个阶段,在贮留槽的水位成为第1预定水位以上时,将制造流量由高流量切换成低流量,在水位成为第2预定水位以下的阶段,由低流量切换成高流量。
[发明的效果]
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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