[发明专利]包含两性表面活性剂的研磨用组合物

权利要求书

1.一种研磨用组合物，其包含水、二氧化硅粒子、碱性物质、和式(1)所示的两性表面活性剂，

在式(1)中，R¹为碳原子数10～20的烷基、或包含酰胺基的碳原子数1～5的烷基，R²和R³各自独立地为碳原子数1～9的烷基，X^-为包含羧酸根离子或磺酸根离子的碳原子数1～5的阴离子性有机基。

2.根据权利要求1所述的研磨用组合物，所述酰胺基为具有碳原子数10～20的烷基的酰胺基。

3.根据权利要求1所述的研磨用组合物，式(1)所示的两性表面活性剂为下述化合物：

在式(1)中，R¹为碳原子数10～20的烷基，X^-为包含羧酸根离子的碳原子数1～5的阴离子性有机基，且R²和R³为甲基的化合物；或者

在式(1)中，R¹为包含具有碳原子数10～20的烷基的酰胺基的碳原子数1～5的烷基，X^-为包含磺酸根离子的碳原子数1～5的阴离子性有机基，且R²和R³为甲基的化合物。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的研磨用组合物，二氧化硅粒子为具有5～100nm的平均一次粒径的二氧化硅粒子处于水性分散体形态的二氧化硅粒子。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的研磨用组合物，碱性物质为碱金属氢氧化物、铵盐、氢氧化季铵、有机胺或碱金属碳酸盐。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的研磨用组合物，其进一步包含螯合剂。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的研磨用组合物，在研磨用组合物中，包含二氧化硅粒子0.05～50质量％、碱性物质0.01～30质量％、两性表面活性剂1～10000ppm，剩余部分为水。

8.一种晶片的制造方法，其包含下述工序：使用权利要求1～7中任一项所述的研磨用组合物对晶片进行研磨的工序。

9.根据权利要求8所述的晶片的制造方法，在晶片的研磨工序中，对晶片进行研磨直到晶片的中央部与周边部的高低差成为100nm以下为止。