[发明专利]包含两性表面活性剂的研磨用组合物

说明书

本发明的课题是提供通过晶片的研磨工序可获得晶片的中心部与周边部(激光标记部分)的高低差小的平坦研磨面的研磨用组合物、以及使用了该研磨用组合物的晶片的制造方法。解决手段是一种研磨用组合物，其包含水、二氧化硅粒子、碱性物质、和式(1)所示的两性表面活性剂。(在式(1)中，R¹为碳原子数10～20的烷基、或包含酰胺基的碳原子数1～5的烷基，R²和R³各自独立地为碳原子数1～9的烷基，X^‑为包含羧酸根离子或磺酸根离子的碳原子数1～5的阴离子性有机基。)。二氧化硅粒子为具有5～100nm的平均一次粒径的二氧化硅粒子的基于水性分散体的二氧化硅粒子。一种晶片的制造方法，在晶片的研磨工序中，进行研磨直到晶片的中央部与周边部的高低差成为100nm以下为止。

技术领域

本发明涉及晶片表面的研磨所使用的研磨用组合物，特别是涉及通过晶片的研磨工序没有晶片中央部与周边部(例如也称为激光标记部分)的高低差，用于形成平坦的研磨面的研磨用组合物。

背景技术

一般而言电子产业中的基板用晶片的制造方法由下述工序构成：1)将单晶铸锭进行切片而获得薄圆板状的晶片的切片工序；2)将该晶片的外周部进行倒棱的倒棱工序；3)将倒棱了的晶片进行平坦化的抛光工序；4)将抛光了的晶片的加工应变除去的蚀刻工序；5)将被蚀刻了的晶片的表面进行镜面化的研磨工序；以及6)将被研磨了的晶片洗涤的洗涤工序。

这些研磨剂中应用PVP、季铵盐、表面活性剂等各种添加剂。

公开了组合有聚合性树脂与胺化合物、季铵盐、甜菜碱等阳离子性化合物的研磨用组合物，关于上述聚合性树脂，例如可举出聚苯乙烯树脂、(甲基)丙烯酸系树脂、聚烯烃树脂、聚氯乙烯树脂、橡胶系树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、聚缩醛树脂等，及作为热固性树脂的酚树脂、环氧树脂、氨基甲酸酯树脂、脲树脂、三聚氰胺树脂等(参照专利文献1、2)。

上述5)研磨工序通过一边将研磨液组合物供给到研磨垫表面，一边将作为被研磨物的晶片与研磨垫压接使其相对移动来进行。该研磨工序一般由1次研磨、2次研磨、最终研磨的多个阶段构成。1次研磨和2次研磨以将在抛光、蚀刻工序中产生的晶片表面的深的伤除去作为目的而进行。

另一方面，最终研磨以将在1次研磨和2次研磨后残存的微小的表面缺陷除去，高精度地平坦化作为目的而进行。

有时在该最终研磨工序后在晶片的中心部与周边部(也称为激光标记部分)产生高低差，这成为问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-204098

专利文献2：日本特开2004-247542

发明内容

发明所要解决的课题

本发明提供通过晶片的研磨工序可获得晶片的中心部与周边部(激光标记部分)的高低差小的平坦研磨面的研磨用组合物、以及使用了该研磨用组合物的晶片的制造方法。

用于解决课题的手段

本申请发明中，作为第1观点，是一种研磨用组合物，其包含水、二氧化硅粒子、碱性物质、和式(1)所示的两性表面活性剂。

(在式(1)中，R¹为碳原子数10～20的烷基、或包含酰胺基的碳原子数1～5的烷基，R²和R³各自独立地为碳原子数1～9的烷基，X^-为包含羧酸根离子或磺酸根离子的碳原子数1～5的阴离子性有机基。)

作为第2观点，是第1观点所述的研磨用组合物，上述酰胺基为具有碳原子数10～20的烷基的酰胺基。