[发明专利]发光组件有效
申请号: | 201880025489.4 | 申请日: | 2018-06-11 |
公开(公告)号: | CN110546751A | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 刘同凯;丁绍滢;徐宸科;李佳恩 | 申请(专利权)人: | 厦门三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L27/15;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | <国际申请>=PCT/CN2018/09 |
地址: | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微发光二极管 类型半导体 发光组件 半导体层序列 电接触层 电连接 粘膜 支架 发光装置 发光层 应用端 复数 基板 键合 排布 粘附 应用 支撑 制作 | ||
1.发光组件,包括:复数个发光二极管,发光二极管包括半导体层序列,半导体序列至少由第一类型半导体层、第二类型半导体层及位于第一类型半导体层和第二类型半导体层之间的有源发光层组成,与第一类型半导体层电连接的第一电接触层,与第二类型半导体层电连接的第二电接触层,
用于向发光二极管提供支撑的支架,
其特征在于,支架和发光二极管之间设置有用于粘附发光二极管的连续或者分离的粘膜,发光二极管有规则地排布在粘膜上。
2.根据权利要求1所述的发光组件,其特征在于,有规则的排布是通过多次向粘膜转移发光二极管而获得的。
3.根据权利要求1所述的发光组件,其特征在于,粘膜为可移除材料。
4.根据权利要求1所述的发光组件,其特征在于,粘膜在粘附发光二极管过程中为稳定结构。
5.根据权利要求1所述的发光组件,其特征在于,粘膜具有固定发光二极管的功能,并能够在物理或化学作用下释放发光二极管。
6.根据权利要求1所述的发光组件,其特征在于,粘膜的厚度为5~100μm。
7.根据权利要求1所述的发光组件,其特征在于,粘膜表面具有复数个台状凸起,台状凸起的凸面与发光二极管接触。
8.根据权利要求7所述的发光组件,其特征在于,台状凸起形状为长方体、圆台、棱柱或其他柱状结构。
9.根据权利要求7所述的发光组件,其特征在于,台状凸起之间的间距为20~600μm。
10.根据权利要求7所述的发光组件,其特征在于,台状凸起的高度大于发光二极管的厚度。
11.根据权利要求7所述的发光组件,其特征在于,台状凸起的高度为10~20μm。
12.根据权利要求7所述的发光组件,其特征在于,台状凸起是粘膜粘附发光二极管之前或者之后通过至少移除位于发光二极管之间的部分粘膜形成的。
13.根据权利要求12所述的发光组件,其特征在于,发光二极管侧壁具有由粘膜材料构成的薄膜。
14.根据权利要求13所述的发光组件,其特征在于,薄膜的厚度为3~10μm。
15.根据权利要求13所述的发光组件,其特征在于,薄膜的折射率为1.2~2。
16.根据权利要求1或13所述的发光组件,其特征在于,粘膜的硬度为15~50J/m3。
17.根据权利要求1所述的发光组件,其特征在于,粘膜材料包括聚酰亚胺、紫外光敏胶、热敏胶、水溶胶、硅胶。
18.根据权利要求1所述的发光组件,其特征在于,发光二极管的结构包括正装结构、倒装结构或者垂直结构。
19.根据权利要求1所述的发光组件,其特征在于,发光二极管在与粘膜接触的一面和/或在与粘膜接触的一面相邻的侧壁上具有保护层。
20.根据权利要求19所述的发光组件,其特征在于,保护层的作用包括抗腐蚀、抗水汽或者抗氧化。
21.根据权利要求19所述的发光组件,其特征在于,保护层材料包括硅、氧化硅、氮化硅或者环氧树脂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造