[发明专利]发光组件

说明书

一种发光组件，包括：复数个微发光二极管（100），微发光二极管包括半导体层序列（110），半导体层序列（110）至少由第一类型半导体层、第二类型半导体层及位于第一类型半导体层和第二类型半导体层之间的有源发光层组成，与第一类型半导体层电连接的第一电接触层（121），与第二类型半导体层电连接的第二电接触层（122），用于向微发光二极管（100）提供支撑的支架（200），支架（200）和发光组件（100）之间设置有用于粘附微发光二极管（100）的粘膜（300），微发光二极管（100）有规则地排布在粘膜（300）上，解决了在应用端，需多次进行微发光二极管（100）转移的问题，只需将发光组件键合到基板上即可构成适于应用的发光装置，提高了应用端的制作效率。

技术领域

本发明属于半导体制造领域，具体涉及一种提供给应用端使用的发光组件。

背景技术

在目前市场上，MicroLED微发光二极管芯片在诸如生物传感器，汽车照明，显示器，柔性设备，光通信和视觉真实设备等广泛应用中受到关注。微型LED芯片的微小尺寸和结构，导致间距减小和外量子效率提高，是光电器件的革命。然而，MicroLED芯片的薄型和精巧架构很难转移和耗时。例如，如果传输过程是基于传统的贴片机，600万个MicroLED芯片可能会需要1个月的转移周期。用于批量生产过程的微LED芯片的转移过程效率低。

虽然许多公司提供转移解决方案，但大规模生产中存在一些问题。在批量生产中，每次转移MicroLED芯片都可能会降低产品的产量。也就是说，因为拾取和放置过程包括传输头和基板的压力和热变化，过多的转移动作会增加MicroLED芯片的接合失败数量。

发明内容

本发明就是针对背景技术的问题提出一种可行的解决方案，本发明提供了用于批量生产的新型微型发光二极管组件。在芯片制作工艺内，完成一系列MicroLED芯片的转移过程，然后将带有B、G、R芯粒的薄膜交付给应用端。该种组件可以强化应用端产品的质量，通过此技术方案在应用端可以获得高键合效率的发光组件。

具体来说，本发明提供了发光组件，包括：复数个发光二极管，发光二极管包括半导体层序列，半导体序列至少由第一类型半导体层、第二类型半导体层及位于第一类型半导体层和第二类型半导体层之间的有源发光层组成，与第一类型半导体层电连接的第一电接触层，与第二类型半导体层电连接的第二电接触层，

用于向发光二极管提供支撑的支架，

支架和发光二极管之间设置有用于粘附发光二极管的连续或者分离的粘膜，发光二极管有规则地排布在粘膜上，粘膜为可抓取发光二极管芯粒的材质。

根据本发明，优选的，有规则的排布是通过多次向粘膜转移发光二极管而获得的。

根据本发明，优选的，粘膜为可移除材料，移除材料的移除方式包括但不限于化学分解、物理分解，例如采用光分解或者热分解等技术手段。

根据本发明，优选的，粘膜在粘附发光二极管过程中为稳定结构。

根据本发明，优选的，粘膜具有固定发光二极管的功能，并能够在物理或化学作用下释放所述发光二极管。

根据本发明，优选的，粘膜的厚度为5~100μm。

根据本发明，优选的，粘膜表面具有复数个台状凸起，台状凸起的凸面与发光二极管接触。

根据本发明，优选的，台状凸起形状为长方体、圆台、棱柱或其他柱状结构。

根据本发明，优选的，台状凸起之间的间距为20~600μm。

根据本发明，优选的，台状凸起的高度大于发光二极管的厚度。

根据本发明，优选的，台状凸起的高度为10~20μm。