[发明专利]废气的减压除害装置

说明书

本发明提供能够使稀释用的氮气的使用极小化、能量的利用效率和经济性优异的废气的除害装置。即，本发明的废气的减压除害装置具有反应筒(16)，该反应筒(16)将经由真空泵(14)从废气产生源(12)供给的废气(E)在形成于其内部的废气处理空间(16a)中通过电热加热器(18)或等离子体加热或激发而进行分解和/或反应处理。在该反应筒(16)的废气出口(20)侧连接有从上述真空泵(14)的排气口到上述反应筒(16)的内部进行减压的后级真空泵(22)。由水封泵构成该后级真空泵(22)，并且设置用清洗水(W)对上述反应筒(16)的废气流路的下游端侧进行水洗的水洗部件(24)。然后，将从该水洗部件(24)供给的清洗水(W)作为上述后级真空泵(22)的密封水。

技术领域

本发明主要涉及适合于从电子产业的制造工艺排出的可燃性气体、有毒气体、温室效应气体等有害的废气的处理的废气的除害装置。

背景技术

在制造半导体、液晶等的电子产业中，使用氮化硅膜CVD、氧化硅膜CVD、氮氧化硅膜CVD、TEOS氧化膜CVD、高介电常数膜CVD、低介电常数膜CVD及金属膜CVD等各种CVD工艺。

其中，例如在硅类薄膜的形成中，使用主要使用了具有爆炸性、毒性的硅烷类气体的CVD法。该CVD法中使用的包含上述硅烷类气体的工艺气体在CVD工艺中被使用后，作为废气在下述专利文献1所记载那样的除害装置中被无害化，但以往以来，在该除害装置的近前，为了将废气中的硅烷类气体稀释至爆炸界限以下而投入了大量的稀释用氮气。

在此，在典型的氮氧化硅膜CVD中使用SiH₄/NH₃/N₂O＝1slm/10slm/10slm(slm；standard liter per minute，1atm、以升表示0℃时的每1分钟的流量的单位)，但由于SiH₄的爆炸范围为1.3％～100％，因此从CVD工艺排出的这样的气体需要立即用稀释用氮气稀释约76倍左右。如果进行该稀释，则能够利用以往的燃烧方式、大气压等离子体方式的热分解装置安全且可靠地进行除害处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-333247号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在上述的现有技术中存在如下的问题。

即，将如上述那样由氮气稀释了的包含硅烷类气体的废气整体加热至分解温度所需的能量需要仅加热包含稀释前的硅烷类气体的废气时的约76倍的能量。即，在以往的需要用氮气稀释的除害工艺中，不仅因伴随着大量的氮气的使用而导致成本上升，而且也不得不对与废气的除害没有直接关系的氮气进行加热，因此能量效率低，还导致电力或燃料等的成本上升。

因此，本发明的主要目的在于，提供一种能够在不损害安全性的情况下使稀释用的氮气的使用极小化、能量的利用效率和经济性优异的废气的除害装置。

用于解决课题的技术方案

为了实现上述目的，本发明通过在减压下进行废气的除害来应对。即，本发明例如如图1及图2所示，如下那样地构成废气的减压除害装置。

本发明的废气的减压除害装置具有反应筒16，该反应筒16在形成于其内部的废气处理空间16a中利用电热加热器18或等离子体对经由真空泵14从废气产生源12供给的废气E加热或激发而进行分解和/或反应处理。在该反应筒16的废气出口20侧连接有从上述真空泵14的排气口到上述反应筒16的内部进行减压的后级真空泵22。该后级真空泵22由水封泵构成，并且设置用清洗水W对上述反应筒16的废气流路的下游端侧进行水洗的水洗部件24。然后，将从该水洗部件24供给到上述反应筒16的废气流路的下游端侧的清洗水W作为上述后级真空泵22的密封水。

本发明例如起到如下的作用。