[发明专利]晶粒处理在审
申请号: | 201880025616.0 | 申请日: | 2018-04-02 |
公开(公告)号: | CN110546754A | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 赛普里恩·艾米卡·乌佐 | 申请(专利权)人: | 英帆萨斯邦德科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/56;H01L21/76;H01L21/67;H01L25/065;H01L23/48 |
代理公司: | 11408 北京寰华知识产权代理有限公司 | 代理人: | 何尤玉;郭仁建<国际申请>=PCT/US |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶粒 技术及系统 表面结合 其他装置 清洁程序 清洁组件 处理膜 切割片 整合式 基板 制备 集成电路 配置 污染 | ||
1.一种形成微电子组装件的方法,其包含:
在基板的一个或两个表面上提供保护层;
将所述基板固定至载体上;
将所述基板单一化成固定至所述载体的一定数量的晶粒;
当所述些晶粒固定至所述载体时处理所述晶粒的至少一第一表面;
围绕第一晶粒的周边切割所述载体,所述切割形成固定至所述第一晶粒的第二表面的所述载体的一部分;
当所述载体的所述部分固定至所述第一晶粒的所述第二表面时自所述一定数量的晶粒移除所述第一晶粒;以及
将所述第一晶粒附接至基板的经制备表面,所述第一晶粒的所述第一表面附接至所述基板的所述经制备表面。
2.如权利要求1所述的方法,其进一步包含:
当所述晶粒固定至所述载体时清洁所述晶粒的至少所述第一表面;
当所述晶粒固定至所述载体时电浆活化所述晶粒的所述第一表面;以及
当所述晶粒固定至所述载体时重新清洁所述晶粒的至少所述第一表面。
3.如权利要求1所述的方法,其进一步包含热处理所述第一晶粒及所述基板以将所述第一晶粒的所述第一表面结合至所述基板的所述经制备表面。
4.如权利要求1所述的方法,其进一步包含:
清洁所述第一晶粒的所述第二表面;
电浆活化所述第一晶粒的所述第二表面;
围绕第二晶粒的周边切割所述载体,所述切割形成固定至所述第二晶粒的第二表面的所述载体的另一部分;
当所述载体的另一部分固定至所述第二晶粒的所述第二表面时自所述一定数量的晶粒移除所述第二晶粒;
将所述第二晶粒的第一表面附接至所述第一晶粒的所述第二表面以形成堆叠式晶粒配置;以及
热处理所述堆叠式晶粒配置。
5.如权利要求1所述的方法,其进一步包含自所述载体冲压一或多个额外晶粒、将所述一或多个额外晶粒附接至所述第二晶粒且附接至每一后续晶粒以形成所述堆叠式晶粒配置。
6.如权利要求1所述的方法,其进一步包含拉伸所述载体以在固定至所述载体的所述晶粒之间形成间隙及沿着所述间隙对所述载体进行穿孔。
7.如权利要求6所述的方法,其中所述载体运用光学雷射工具加以穿孔。
8.如权利要求6所述的方法,其进一步包含当所述晶粒固定至所述载体时清洁所述晶粒的一或多个边缘。
9.如权利要求1所述的方法,其进一步包含当所述晶粒固定至所述载体时电浆灰化所述晶粒的所述第一表面。
10.如权利要求1所述的方法,其进一步包含使用真空工具移除所述第一晶粒,其中所述真空工具经配置以附接至固定至所述第一晶粒的所述第二表面的所述载体的所述部分且将所述第一晶粒置放至所述基板的所述经制备表面上而不直接接触所述第一晶粒的表面或边缘。
11.如权利要求1所述的方法,其进一步包含:
通过围绕所述第一晶粒的所述周边切割所述载体而在所述载体中形成开口;
将拾取工具附接至所述载体的所述部分,所述载体的所述部分固定至所述第一晶粒的所述第二表面;以及
通过运用所述拾取工具将所述第一晶粒牵拉通过所述开口或将所述第一晶粒推进通过所述开口而自所述一定数量的晶粒移除所述第一晶粒。
12.如权利要求1所述的方法,其中所述载体包含切割片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造