[发明专利]在EUV光谱区域中操作的光学物镜在审
申请号: | 201880026044.8 | 申请日: | 2018-04-16 |
公开(公告)号: | CN110753882A | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 丹尼尔·基恩·史密斯;大卫·M·威尔森 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G02B17/06;G21K1/06 |
代理公司: | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 胡林岭 |
地址: | 日本东京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反射镜 反射系统 曝光设备 图案 光学图像 极紫外线 制造装置 因数 参考轴 光辐照 图案源 组合被 减缩 入射 承载 起源 配置 | ||
1.一种光学成像系统,具有光轴且包括:
凸面反射镜单元,在其中界定第一开口;以及
凹面反射镜单元,在其中界定第二开口,
所述系统被配置成
在凸面反射镜单元的表面处接收经由所述第二开口以两束辐射的形式被递送至所述系统的光学辐射,且
在所述光学辐射已自所述凹面反射镜单元的表面反射之后且在所述光学辐射已穿过所述第一开口之后,通过以所述光学辐射辐照图像平面而形成物体的图像。
2.根据权利要求1所述的光学成像系统,其中所述凸面反射镜单元及所述凹面反射镜单元中的至少一者包括被间隙分隔开的第一反射元件及第二反射元件,所述间隙表示所述第一开口及所述第二开口中的对应一者,所述光轴穿过所述间隙。
3.根据权利要求1或2所述的光学成像系统,其中所述凹面反射镜单元的所述表面及所述凸面反射镜单元的所述表面中的至少一者与旋转对称表面的一部分全等。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光学成像系统,被配置成光刻曝光工具的投影光学系统。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光学成像系统,其中所述两束辐射是在所述凹面反射镜单元的所述表面处接收的所述仅有的两束辐射且用以形成所述图像。
6.根据权利要求5所述的光学成像系统,被配置成从所述图像利用所述仅有的两束所述辐射,所述仅有的两束所述辐射中的每一者承载已衍射于与所述物体相关联的实质上一维(1D)结构上的所述辐射。
7.根据权利要求6所述的光学成像系统,其中所述实质上一维结构包括一维衍射相位光栅。
8.根据权利要求6或7所述的光学成像系统,其中所述实质上一维结构设置于空间弯曲表面上。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的光学成像系统,其中满足以下条件中的至少一者:
(i)第一比率的值介于约8.5与约60之间;所述第一比率被定义为所述主镜与所述副镜之间的分隔距离对所述系统的工作距离的比率;以及
(ii)第二比率的值介于约0.2与约1.0之间,所述第二比率被定义为所述主镜与所述副镜之间的所述分隔距离对所述系统的总轨道长度的比率。
10.根据权利要求9所述的光学成像系统,其中所述系统的入射光瞳与所述系统的掩模版分隔开约1.5米至约1.8米的距离。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的光学成像系统,其中满足以下条件中的至少一者:
(i)第一比率的值介于约9.5与约14.5之间,所述第一比率被定义为所述主镜与所述副镜之间的分隔距离对所述系统的工作距离的比率);以及
(ii)第二比率的值介于约0.5与约0.7之间,所述第二比率被定义为所述主镜与所述副镜之间的所述分隔距离对所述系统的总轨道长度的比率。
12.根据权利要求11所述的光学成像系统,其中所述系统的入射光瞳与所述系统的掩模版分隔开约0.3米至约0.7米的距离。
13.一种反射系统,具有参考轴且包括:
第一反射镜、第二反射镜及第三反射镜;
所述第一反射镜包括图案源;
所述第二反射镜及所述第三反射镜的组合被配置成:在与所述第一反射镜光学共轭的平面中在由仅有的两束光提供的极紫外线光中以N>1的减缩因数形成所述图案源的实质上一维图案的光学图像,其中所述仅有的两束光因以入射光束辐照所述第一反射镜而起源于所述第一反射镜处,且
其中所述仅有的两束光不包括表示所述入射光束在所述第一反射镜处的镜面反射的光束。
14.根据权利要求13所述的反射系统,其中所述组合被配置成不以相依于空间频率的方式降低所述光学图像的对比度。
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