[发明专利]在EUV光谱区域中操作的光学物镜

说明书

一种反射系统具有参考轴以及第一反射镜、第二反射镜及第三反射镜。所述第一反射镜含有承载实质上一维图案的图案源。所述第二反射镜及所述第三反射镜的组合被配置成：在极紫外线光中利用仅有的两束光以N>1的减缩因数形成图案的光学图像，所述仅有的两束光因以入射于第一反射镜上的光辐照所述第一反射镜而起源于所述第一反射镜处。一种采用所述反射系统的曝光设备以及利用所述曝光设备制造装置的方法。

相关申请的交叉参考

本申请主张在2017年4月19日提出申请的美国临时专利申请第62/487,245号、在2017年4月26日提出申请的美国临时专利申请第62/490,313号、以及在2017年5月11日提出申请的美国临时专利申请第62/504,908号的优先权及权利。本申请也主张在2017年5月18日提出申请的美国专利申请第15/599,148号、以及在2017年5月18日提出申请的美国专利申请第15/599,197号的优先权及权利。上述申请中的每一者的公开内容并入本案供参考。

技术领域

本发明涉及被配置成在光谱的紫外线部分中操作的物镜，且更具体而言涉及史瓦西型(Schwarzschild-type)光学器件，所述光学器件的尺寸被明智地调整以形成设置于弯曲表面或平面表面上具有实质上一维标记的空间密集图案的光学图像。

背景技术

目前可商购获得的极紫外线(extreme ultraviolet，EUV)光刻装备(在以下被称为通用EUV系统)被构造成将其上承载任意二维(two-dimensional，2D)图案的掩模版掩模(reticle mask)成像于工件(例如，工件或基底，此为可由半导体晶片(wafer)表示的具体情形)的矩形场(rectangular field)上。由于必须被自掩模版光学转移并成像至工件上的此种图案的二维性质，有必要将通用EUV系统实作为扫描系统以提供并达成工件与掩模版之间的相对位移。目前，此种实作是利用用于掩模版的一个移动台及用于工件的至少又一个移动台而达成，若无所述移动台，则以足够的准确度及分辨率将掩模版图案的所有特征转移至工件上是相当困难的且在实践中不能如所期望那样被达成。目前使用的通用EUV系统的结构及操作复杂性不可避免地且大大地增加了系统的操作成本，并减低了工件每单位时间的曝光次数，此部分是由于EUV光经由光学系统的传输受到限制。此外，由于将图案转移至工件上需要在两个维度上进行光学成像的过程，现有通用EUV系统的一系列(train)的光学组件需要高复杂度且由高复杂度表征。举例而言，此系列可包括；-在光学系列的投影部分(或投影光学器件)中的六个抛光镜，其中镜面粗糙度(mirror-surface roughness)小于0.1纳米均方根(nm rms)且镜对齐公差(mirror alignment tolerances)小于1nm等；-光学系列的结构复杂且可微调的照明部分(照明单元)；以及-具有复杂的反射涂层的大的掩模版或掩模。此外，被恰当地实作的图案转移需要使用对齐掩模的复杂组合。所有这些因素不可避免地导致通用EUV系统的设计及制作成本高。

发明内容

实施例提供一种反射系统，所述反射系统具有参考轴且包括第一反射镜、第二反射镜及第三反射镜。所述第一反射镜含有图案源。所述第二反射镜及所述第三反射镜的组合被配置成：在极紫外线光中以N>1的减缩因数形成光学图像。所述图像是所述图案源的实质上一维(one-dimensional，1D)图案的图像，且由仅有的两束光形成，所述仅有的两束光因以入射于所述第一反射镜上的光束辐照所述第一反射镜而起源于所述第一反射镜处。所述光学图像形成于与所述第一反射镜光学共轭的平面中。所述仅有的两束光不包括表示辐照所述第一反射镜的入射光束的镜面反射(specular reflection)的光束。