[发明专利]图像传感器、图像传感器制造方法、电子装置和摄像模块有效
| 申请号： | 201880026585.0 | 申请日： | 2018-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN110546536B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 横川创造;村上裕隆;伊藤干记 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 制造 方法 电子 装置 摄像 模块 | ||
1.一种摄像器件，其包括：
光电检测器；和
滤光器，其设置在所述光电检测器的光接收表面上，其中，所述滤光器包括：衍射光栅、第一芯层、以及设置在所述第一芯层的第一相对侧和第二相对侧的反射器，其中，所述反射器的折射率不同于所述第一芯层的折射率。
2.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述第一芯层设置在所述衍射光栅的光接收表面上或者在与所述衍射光栅的所述光接收表面相对的表面上。
3.根据权利要求1或2所述的摄像器件，其中，所述反射器至少围绕所述第一芯层的外围。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像器件，其中，所述反射器包括金属。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像器件，其中，所述反射器包括布拉格镜。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像器件，其中，所述反射器包括反射率比所述第一芯层高或低的介质镜。
7.根据权利要求6所述的摄像器件，其中，所述介质镜包括SiN、TiO2和/或氧化硅。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像器件，其中，所述反射器是气隙。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的摄像器件，其中，所述反射器的宽度为50nm以上且200nm以下。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的摄像器件，其中，所述第一芯层具有波导结构或导光板结构。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的摄像器件，其中，所述第一覆层包括氮化硅、二氧化钽和/或氧化钛。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的摄像器件，其中，所述衍射光栅是一维衍射光栅或二维衍射光栅，并且其中，所述衍射光栅包括具有200nm以上且600nm以下光栅周期的多个光栅线。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的摄像器件，其中，所述衍射光栅包括金属薄膜。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的摄像器件，其中，所述衍射光栅包括电介质材料。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的摄像器件，其中，所述衍射光栅的厚度约为50nm以上且150nm以下。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的摄像器件，其中，所述滤光器是导模共振(GMR)滤波器。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的摄像器件，还包括设置在所述衍射光栅与所述第一芯层之间的第一覆层。
18.根据权利要求17所述的摄像器件，其中，所述第一覆层与所述衍射光栅和/或所述第一芯层直接相邻。
19.根据权利要求17或18所述的摄像器件，其中，所述第一覆层的折射率低于所述第一芯层的折射率。
20.根据权利要求17至19中任一项所述的摄像器件，其中，所述反射器设置在所述第一覆层的第一相对侧和第二相对侧上。
21.根据权利要求20所述的摄像器件，其中，所述反射器至少围绕所述第一覆层的外围。
22.根据权利要求17至21中任一项所述的摄像器件，其中，所述第一覆层的厚度约为150nm以下。
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