[发明专利]电子元器件和半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

半导体基板，其具有一侧的第一主面、另一侧的第二主面以及连接所述第一主面和所述第二主面的侧面；

主面绝缘层，其形成于所述半导体基板的所述第一主面的一侧，

配线层，其形成于所述主面绝缘层上；

芯片，其具有一侧的第一芯片主面和另一侧的第二芯片主面，包括形成在所述第一芯片主面上的第一电极和形成在所述第二芯片主面上的第二电极，以所述第二电极与所述配线层电连接的方式配置在所述配线层上；

封固绝缘层，其具有小于所述半导体基板的厚度的厚度，且以使所述半导体基板的所述第二主面及所述侧面露出的方式在所述主面绝缘层上封固所述配线层及所述芯片，所述封固绝缘层具有与所述半导体基板的所述第一主面对置的封固主面；以及

多个外部端子，其以从所述封固绝缘层的所述封固主面露出的方式贯通所述封固绝缘层而形成，分别与所述芯片的所述第一电极和所述第二电极电连接，

所述多个外部端子包括：

芯片侧外部端子，其形成在所述芯片上且与所述芯片的所述第一电极电连接；以及

配线侧外部端子，其形成在所述配线层上且经由所述配线层与所述芯片的所述第二电极电连接，

所述芯片产生的热经由所述半导体基板的所述第二主面及所述侧面双方向外部扩散。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述封固绝缘层的所述封固主面形成了安装面，

所述多个外部端子全部从所述安装面露出。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述封固绝缘层包含封固侧面，该封固侧面形成为与所述半导体基板的所述侧面表面一致。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述芯片包含形成在所述第一芯片主面侧的电路元件。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述芯片具有包含碳化硅的芯片主体，具有600V以上的耐压。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板是硅基板、碳化硅基板、蓝宝石基板或氮化物半导体基板。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述主面绝缘层包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝和氮氧化铝中的至少一种，具有至少1MV/cm以上的绝缘破坏电场强度。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板具有50μm以上1000μm以下的厚度，

所述主面绝缘层具有0.1μm以上100μm以下的厚度，

所述封固绝缘层为10μm以上且小于所述半导体基板的厚度。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述多个外部端子分别包含沿着所述半导体基板的所述第一主面的法线方向以柱状立设的柱状电极层。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述柱状电极层包含进行外部连接的连接部，

所述柱状电极层的所述连接部形成为与所述封固绝缘层的所述封固主面表面一致。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述多个外部端子分别包含形成在所述柱状电极层上的导电接合层。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述导电接合层整体从所述封固绝缘层的所述封固主面露出。