[发明专利]电路基板以及具备其的发光装置有效

专利信息
申请号: 201880026881.0 申请日: 2018-04-20
公开(公告)号: CN110603654B 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 阿部裕一 申请(专利权)人: 京瓷株式会社
主分类号: H01L33/60 分类号: H01L33/60;H01L33/62;H05K1/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 柯瑞京
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 路基 以及 具备 发光 装置
【说明书】:

本公开的电路基板具备:基板;位于该基板上的导体层;位于该导体层上的反射层;以及位于所述基板上并且与所述导体层和所述反射层相接地设置的树脂层。此外,关于所述反射层的表面,根据粗糙度曲线求得的算术平均粗糙度Ra不足0.2μm,并且根据粗糙度曲线求得的峭度Rku相对于根据粗糙度曲线求得的偏斜度Rsk之比为5以上且15以下。

技术领域

本公开涉及一种电路基板以及具备其的发光装置。

背景技术

作为功率消耗小的发光元件,LED(发光二极管)不断受到关注。并且,在这样的发光元件的搭载中,使用的是具备绝缘性基板、以及位于该基板上的成为电路(布线)的导电层的电路基板。

此外,关于在上述结构的电路基板中搭载发光元件而构成的发光装置,不断要求发光效率的提高,为了提高发光效率,进行了利用白色系色调的树脂覆盖基板的表面的处理(例如,参照专利文献1)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2009-129801号公报

发明内容

本公开的电路基板具备:基板;位于该基板上的导体层;位于该导体层上的反射层;以及位于所述基板上并且与所述导体层和所述反射层相接地设置的树脂层。此外,关于所述反射层的表面,根据粗糙度曲线求得的算术平均粗糙度Ra不足0.2μm,并且根据粗糙度曲线求得的峭度(kurtosis)Rku相对于根据粗糙度曲线求得的偏斜度(skewness)Rsk之比为5以上且15以下。

附图说明

图1是示意性表示本公开的发光装置中的发光元件周边的一例的剖视图。

具体实施方式

近年来,为了将基板的表面利用白色系色调的树脂进行覆盖,并且为了提高发光效率,不断进行在导电层上设置反射层这一处理。并且,本次,为了进一步提高发光效率,需要反射层的反射率的改善。

本公开的电路基板具有高的反射率。以下,一边参照图1一边详细说明本公开的电路基板。

如图1所示,本公开的电路基板10具备:基板1、位于基板1上的导体层2、位于导体层2上的反射层3、以及位于基板1上并且与导体层2和反射层3相接地设置位置的树脂层4。

此外,关于本公开的电路基板10中的反射层3的表面,根据粗糙度曲线求得的算术平均粗糙度Ra不足0.2μm,并且根据粗糙度曲线求得的峭度(kurtosis)Rku对根据粗糙度曲线求得的偏斜度(skewness)Rsk的比(Rku/Rsk)为5以上且15以下。此外,反射层3的表面是指反射光的反射层3所露出的面。

这里,算术平均粗糙度Ra意指的是由JISB 0601(2013)规定的值。此外,偏斜度Rsk是指,由JISB 0601(2013)规定、表示以粗糙度曲线的平均高度为中心线时的峰部与谷部的比率的指标。此外,峭度Rku是指,由JISB 0601(2013)规定、表示表面的锐利度的尺度即尖度的指标。

此外,关于本公开的电路基板10的反射层3的表面,算术平均粗糙度Ra不足0.2μm,由此,能够抑制光的漫反射。此外,Rku/Rsk为5以上且15以下,由此,呈现峰部的顶点附近变尖锐但谷部所占比率大的表面性状,因而光容易进行全反射。由此,本公开的电路基板10具有高的反射率。此外,在本公开的电路基板10的反射层3的表面,例如,偏斜度Rsk是1.8以上且2.3以下,峭度Rku是9.0以上且31.9以下。

这里,反射层3的表面的算术平均粗糙度Ra、偏斜度Rsk以及峭度Rku,能够通过依据JISB 0601(2013)进行测定来求得。此外,作为测定条件,例如,可以设测定长度为2.5mm,设裁切值为0.08mm,使用触针半径为2μm的触针,并将扫描速度设定为0.6mm/秒。并且,可以在反射层3的表面在至少3个以上的部位进行测定,求取其平均值。

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