[发明专利]存储器单元的竖向延伸串的阵列及形成存储器阵列的方法

权利要求书

1.一种形成存储器阵列的方法，其包括：

形成交替的第一层级与第二层级的垂直堆叠，所述第一层级包括第一材料，所述第二层级包括第二材料，开口竖向延伸穿过所述第一及第二层级；

在所述开口中形成第三材料的垂直间隔区域，在所述开口中所述第三材料的所述区域中的个别者沿着所述第二层级中的所述第二材料竖向延伸；

在所述开口中相对于所述第一层级选择性地竖向沿着所述第三材料的所述间隔区域形成电荷存储材料；

在所述开口中竖向沿着所述第二层级中的所述电荷存储材料形成电荷通路材料；

在所述开口中竖向沿着所述电荷通路材料且竖向沿着所述第一层级形成沟道材料；及

用传导材料来代替所述第二层级中的所述第二材料中的至少一些且在所述开口中的个别者中形成存储器单元的竖向延伸串；所述存储器单元个别地包括包含所述传导材料的控制栅极区域、电荷阻挡区域、所述电荷存储材料、所述电荷通路材料及所述沟道材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述开口中连续地沿着所述第一及第二层级形成所述电荷通路材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其包括直接抵靠所述第二材料形成所述第三材料且直接抵靠所述第三材料形成所述电荷存储材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第三材料包括第一组合物及与所述第一组合物化学键合的第二组合物的单层，在形成所述电荷存储材料时，所述单层最初被暴露于所述个别开口。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第三材料包括硅及锗中的至少一者。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第三材料包括元素金属。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第三材料包括金属化合物。

8.根据权利要求1所述的方法，其包括在形成所述电荷通路材料之前，相对于所述开口中的所述第三材料选择性地在所述开口中的所述第一材料上方形成势垒材料，所述电荷通路材料是相对于所述势垒材料选择性地竖向沿着所述电荷存储材料形成于所述开口中。

9.根据权利要求8所述的方法，其包括将所述势垒材料形成为单层。

10.根据权利要求9所述的方法，其包括将所述势垒材料形成为自组装单层。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述第三材料包括硅、锗、元素金属及金属化合物中的至少一者。

12.根据权利要求8所述的方法，其包括：

在形成所述势垒材料之前，相对于所述第一材料选择性地在所述开口中的所述第三材料上形成化学键合单层；及

将所述势垒材料形成为单层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，

所述第三材料包括硅、锗、元素金属及金属化合物中的至少一者；且

所述第三材料上的所述化学键合单层包括氢氧化物或硅基酰胺。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述代替包括从所述第二层级移除所述第二材料且在所述第二层级中形成所述传导材料；且

所述方法进一步包括：

在所述第二层级中形成所述传导材料之前从所述第二层级移除所有所述第三材料。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述代替包括从所述第二层级移除所述第二材料且在所述第二层级中形成所述传导材料；且

所述方法进一步包括：

在所述移除之后在所述第二层级中留下所述第三材料中的至少一些，且在所述第二层级中直接抵靠所述第三材料形成所述传导材料，所述第三材料保留为所述存储器阵列的成品构造的一部分。