[发明专利]存储器单元的竖向延伸串的阵列及形成存储器阵列的方法

说明书

一种存储器单元的竖向延伸串的阵列包括交替的绝缘层级与字线层级的垂直堆叠。所述字线层级具有对应于控制栅极区域的终端。个别存储器单元的电荷存储材料沿着所述字线层级的所述控制栅极区域中的个别者竖向延伸且并不沿着所述绝缘层级竖向延伸。所述个别存储器单元的电荷阻挡区域横向沿着所述字线层级的所述个别控制栅极区域竖向延伸，通过所述电荷阻挡区域阻挡所述个别控制栅极区域与所述电荷存储材料之间的电荷迁移。沟道材料沿着所述堆叠竖向延伸且通过绝缘电荷通路材料与所述电荷存储材料横向间隔开。存储器单元的所述竖向延伸串中的个别者的所有所述电荷存储材料从存储器单元的所述个别竖向延伸串的所有所述绝缘电荷通路材料横向向外。本发明揭示包含方法实施例的其它实施例。

技术领域

本文中所揭示的实施例涉及存储器单元的竖向延伸串的阵列且涉及形成存储器阵列的方法。

背景技术

存储器为电子系统提供数据存储。快闪存储器是一种类型的存储器，且在现代计算机及装置中具有众多用途。举例来说，现代个人计算机可具有存储于快闪存储器芯片上的BIOS。作为另一实例，计算机及其它装置越来越普遍在固态驱动器中利用快闪存储器来代替常规硬驱动器。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中较受欢迎，这是因为其使得制造商能够在新的通信协议成为标准化时支持所述新的通信协议，且能够提供使装置远程更新以增强特征的能力。

NAND可为集成式快闪存储器的基本架构。NAND单元单位包括串联耦合到存储器单元的串联组合(其中串联组合通常称作NAND串)的至少一个选择装置。NAND架构可配置成包括垂直堆叠式存储器单元的三维布置。期望开发经改进NAND架构。

附图说明

图1是具有实例性NAND存储器阵列的区域的实例性集成式结构的图解性横截面侧视图。

图2是根据本发明的实施例的过程中的衬底构造的图解性横截面图。

图3是处于在由图2所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图2构造的视图。

图4是处于在由图3所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图3构造的视图。

图5是处于在由图4所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图4构造的视图。

图6是处于在由图5所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图5构造的视图。

图7是处于在由图6所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图6构造的特定材料的图解性放大图。

图8是处于在由图7所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图7构造的视图。

图9是处于在由图8所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图6构造的视图。

图10是处于在由图9所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图9构造的视图。

图11是处于在由图10所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图10构造的视图。

图12是具有实例性NAND存储器阵列的区域的实例性集成式结构的图解性横截面侧视图。

图13是具有实例性NAND存储器阵列的区域的实例性集成式结构的图解性横截面侧视图。

图14是具有实例性NAND存储器阵列的区域的实例性集成式结构的图解性横截面侧视图。

图15是具有实例性NAND存储器阵列的区域的实例性集成式结构的图解性横截面侧视图。

图16是具有实例性NAND存储器阵列的区域的实例性集成式结构的图解性横截面侧视图。

图17是根据本发明的实施例的过程中的衬底构造的图解性横截面图。

图18是处于在由图17所展示的处理步骤之后的处理步骤处的图17构造的视图。