[发明专利]自我选择存储器中的编程加强

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

硫属化物材料存储器存储元件，其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第二表面相比于所述第一表面具有较大的面积；

第一电极，其与所述第一表面耦合，所述第一电极包括第一矩形表面，所述第一矩形表面具有与所述第一表面形成第一直角的至少一侧；及

第二电极，其与所述第二表面耦合，且经由所述硫属化物材料存储器存储元件与所述第一电极进行电子连通，所述第二电极具有比所述第一矩形表面大的第二矩形表面，所述第二矩形表面具有与所述第二表面形成第二直角的至少一侧，其中所述硫属化物材料存储器存储元件包括硒，且其中所述硒相对于所述第一表面或所述第二表面的浓度是至少部分地基于在所述第一电极与所述第二电极之间跨所述硫属化物材料存储器存储元件的电压的极性，其中所述硒的第一浓度对应于第一逻辑状态且所述硒的第二浓度对应于不同于所述第一逻辑状态的第二逻辑状态。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述硫属化物材料存储器存储元件经配置以使得所述第一浓度对应于所述硫属化物材料存储器存储元件的第一阈值电压且所述第二浓度对应于所述硫属化物材料存储器存储元件的第二阈值电压，所述第一阈值电压和所述第二阈值电压之间的差至少部分地基于所述第一表面的相对于所述第二表面的面积的面积。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置的逻辑状态是至少部分地基于使用所述电压的所述极性来编程所述硫属化物材料存储器存储元件。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述硫属化物材料存储器存储元件的横截面包括梯形。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述硫属化物材料存储器存储元件包括梯形棱柱。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述硫属化物材料存储器存储元件包括锥台。

7.一种存储器装置，其包括：

硫属化物材料存储器存储元件，其具有第一侧、与所述第一侧相对且比所述第一侧大的第二侧、与所述第一侧相邻且与所述第二侧相邻的第三侧及与所述第三侧相对的第四侧，其中所述第一侧及所述第三侧形成钝角，且所述第二侧及所述第三侧形成锐角；

第一电极，其耦合在所述硫属化物材料存储器存储元件的所述第一侧与第一存取线之间，所述第一电极包括第一矩形表面，所述第一矩形表面具有与所述第一侧形成第一直角的至少一侧；及

第二电极，其耦合在所述硫属化物材料存储器存储元件的所述第二侧与第二存取线之间，所述第二电极具有比所述第一矩形表面大的第二矩形表面，所述第二矩形表面具有与所述第二侧形成第二直角的至少一侧，其中所述硫属化物材料存储器存储元件包括硒，其中所述硒相对于所述第一侧或所述第二侧的浓度至少部分地基于在所述第一电极与所述第二电极之间跨所述硫属化物材料存储器存储元件的电压的极性，且其中所述硒的第一浓度对应于第一逻辑状态且所述硒的第二浓度对应于不同于所述第一逻辑状态的第二逻辑状态。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述第一侧及所述第四侧形成钝角，且所述第二侧及所述第四侧形成锐角。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述第一电极的接触所述第一侧的部分相比于所述第二电极的接触所述第二侧的部分具有较小的面积。

10.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述硫属化物材料存储器存储元件包括自我选择存储器组件。

11.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述硫属化物材料存储器存储元件经配置以使得所述第一浓度对应于所述硫属化物材料存储器存储元件的第一阈值电压且所述第二浓度对应于所述硫属化物材料存储器存储元件的第二阈值电压，所述第一阈值电压和所述第二阈值电压之间的差至少部分地基于所述第一侧的相对于所述第二侧的长度的长度。

12.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述存储器装置的逻辑状态是至少部分地基于接触所述第一电极的所述硫属化物材料存储器存储元件的阈值电压。