[发明专利]自我选择存储器中的编程加强

说明书

本申请案涉及自我选择存储器中的编程加强。本发明描述用于存储器单元中的编程加强的方法、系统及装置。经不对称塑形的存储器单元可加强特定电极处或附近的离子拥挤，此可经利用以用于精确地读取所述存储器单元的经存储值。编程所述存储器单元可使所述存储器单元内的元件分离，从而引起离子迁移朝向特定电极。所述迁移可取决于所述存储器单元的极性，且可在所述存储器单元内产生高电阻率区及低电阻率区。可通过跨所述存储器单元施加电压来感测所述存储器单元。所得电流可接着遇到所述高电阻率区及低电阻率区，且所述区的定向可表示所述存储器单元的第一逻辑状态或第二逻辑状态。

相关申请案的交叉参考

本专利申请案主张2018年4月18日申请的瑞戴利(Redaelli)等人的标题为“自我选择存储器中的编程加强(Programming Enhancement in Self-Selecting Memory)”的PCT申请案第PCT/US2018/28391号的优先权，所述PCT申请案主张2017年4月28日申请的瑞戴利(Redaelli)等人的标题为“自我选择存储器中的编程加强(Programming Enhancementin Self-Selecting Memory)”的美国专利申请案第15/582,329号的优先权，所述案中的每一者已让与给其受让人，且所述案中的每一者的全部内容在此以引用的方式明确地并入本文中。

技术领域涉及自我选择存储器中的编程加强。

背景技术

下文大体涉及存储器单元中的编程加强且更具体来说涉及自我选择存储器中的编程加强。

存储器装置广泛用于将信息存储在各种电子装置中，例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等等。通过编程存储器装置的不同状态而存储信息。例如，二进制装置具有两个状态，其通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中，可存储两个以上状态。为存取所存储的信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的经存储状态。为了存储信息，电子装置的组件可将状态写入或编程在存储器装置中。

存在多种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、只读存储器(ROM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等等。存储器装置可为易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如，FeRAM)可甚至在缺乏外部电源的情况下维持其经存储逻辑状态达到延长的时段。易失性存储器装置(例如，DRAM)可随时间丢失其经存储状态，除非其由外部电源周期性地刷新。改进存储器装置可包含增大存储器单元密度、增大读/写速度、增大可靠性、增大数据保持、降低功率消耗或降低制造成本等等。

一些类型的存储器装置可使用跨存储器单元的电阻或电压降的变化来编程及感测不同逻辑状态。例如，自我选择存储器可加强不同经编程状态之间的存储器单元的阈值电压的差。编程存储器单元的方式可能会影响构成存储器单元的各种材料的分布，此可能会影响存储器单元的离子迁移，此又可能会影响存储器单元的阈值电压。阈值电压可与存储器单元的逻辑状态相关或指示存储器单元的逻辑状态。因此，不同逻辑状态之间的阈值电压的较小变化可能会影响可读取存储器单元的精确度。

发明内容

描述一种存储器装置。在一些实例中，所述存储器装置可包含：硫属化物材料存储器存储元件，其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第二表面相比于所述第一表面具有较大的面积；第一电极，其与所述第一表面耦合；及第二电极，其与所述第二表面耦合，且经由所述硫属化物材料存储器存储元件与所述第一电极进行电子连通。