[发明专利]在微机电系统中提供吸气剂的系统和方式

权利要求书

1.一种方法，其包括：

接合微机电系统(MEMS)至基底，所述MEMS与所述基底之间具有第一空腔及第二空腔；

于所述第一空腔中的所述基底上提供第一吸气剂；

整合所述第一吸气剂与电极；以及

于所述基底上的鈍化层上方的所述第一空腔中提供第二吸气剂。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一空腔包含陀螺仪空腔，且所述第二空腔包含加速度计空腔。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底包含CMOS基底。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述接合包含通过金属层接合所述MEMS至所述基底。

5.根据权利要求1所述的方法，其中整合所述第一吸气剂与所述电极包含沉积所述第一吸气剂的第一吸气层于所述电极的金属层上方。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一吸气层包含钛，以及所述金属层包含铝。

7.根据权利要求1所述的方法，包括：

沉积所述第一吸气剂的第一吸气层于金属层上；

图案化所述第一吸气层；

沉积阻挡层于所述第一吸气层上方以及于所述金属层上方；

图案化所述阻挡层、所述第一吸气层以及所述金属层的一或多层以形成堆迭，其中所述堆迭的一或多个包含所述阻挡层、所述第一吸气层以及所述金属层；

在所述堆迭周围沉积所述鈍化层；

选择性地移除所述鈍化层以暴露出所述堆迭的一或多个；以及

选择性地移除所述阻挡层以暴露出所述第一吸气层。

8.根据权利要求1所述的方法，包括：

沉积所述第一吸气剂的第一吸气层于金属层上；

沉积阻挡层于所述第一吸气层上；

图案化所述阻挡层、所述第一吸气层以及所述金属层的一或多层以形成堆迭，其中所述堆迭的一或多个包含所述阻挡层、所述第一吸气层以及所述金属层；

在所述堆迭周围沉积所述鈍化层；

选择性地移除所述鈍化层以暴露出所述堆迭的一或多个；以及

选择性地移除所述阻挡层以暴露出所述第一吸气层。

9.根据权利要求1所述的方法，包括：

沉积阻挡层于金属层上；

沉积所述第一吸气剂的第一吸气层于所述阻挡层上；

图案化所述第一吸气层、所述阻挡层以及所述金属层的一或多层以形成堆迭，其中所述堆迭的一或多个包含所述第一吸气层、所述阻挡层以及所述金属层；

在所述堆迭周围沉积鈍化层；

选择性地移除所述鈍化层以暴露出所述堆迭的一或多个；以及

选择性地移除所述第一吸气层以暴露出所述阻挡层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述第二吸气剂包含：

沉积所述第二吸气剂的第二吸气层于所述鈍化层上方；

图案化所述第二吸气层；

在图案化所述第二吸气层后于所述鈍化层蚀刻出槽孔；

沉积导电层于所述槽孔上方以及所述第二吸气层上方；以及

蚀刻所述导电层以暴露出所述第二吸气层的一部分，其中所述导电层提供导电路径，所述导电路径通过所述槽孔从所述第二吸气层到凸起挡止块的金属层。

11.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述第二吸气剂包含：

在所述鈍化层中蚀刻出槽孔；

于所述鈍化层上方以及于所述槽孔上方沉积所述第二吸气剂的第二吸气层；

于所述第二吸气层上方沉积导电层；

图案化所述导电层以及所述第二吸气层；以及

蚀刻所述导电层以暴露出所述第二吸气层。

12.根据权利要求11所述的方法，包括通过凸起挡止块中的所述槽孔将沉积在所述基底上的金属层和所述第二吸气层电性耦接。