[发明专利]含有环氧改性聚硅氧烷的临时粘接剂

权利要求书

1.一种粘接剂，其是用于将支持体与晶片的电路面之间以能够剥离的方式粘接并对晶片的背面进行加工的粘接剂，所述粘接剂包含成分(A)和成分(B)，所述成分(A)通过氢化硅烷化反应而固化，所述成分(B)包含环氧改性聚有机硅氧烷，成分(A)与成分(B)的比例以质量％计为99.995：0.005～30：70。

2.根据权利要求1所述的粘接剂，成分(A)包含聚硅氧烷(A1)和铂族金属系催化剂(A2)，所述聚硅氧烷(A1)选自SiO₂所示的硅氧烷单元即Q单元、R¹R²R³SiO_1/2所示的硅氧烷单元即M单元、R⁴R⁵SiO_2/2所示的硅氧烷单元即D单元、和R⁶SiO_3/2所示的硅氧烷单元即T单元、以及它们的组合，R¹～R⁶各自独立地表示1价化学基，所述1价化学基为碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基或氢原子，其中R¹～R⁶分别通过Si-C键或Si-H键而与硅原子结合；

该聚硅氧烷(A1)包含聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)，该聚有机硅氧烷(a1)选自SiO₂所示的硅氧烷单元即Q’单元、R^1’R^2’R^3’SiO_1/2所示的硅氧烷单元即M’单元、R^4’R^5’SiO_2/2所示的硅氧烷单元即D’单元、和R^6’SiO_3/2所示的硅氧烷单元即T’单元、以及它们的组合，R^1’～R^6’各自独立地表示1价化学基，所述1价化学基为碳原子数1～10的烷基或碳原子数2～10的烯基，该聚有机硅氧烷(a2)选自SiO₂所示的硅氧烷单元即Q”单元、R^1”R^2”R^3”SiO_1/2所示的硅氧烷单元即M”单元、R^4”R^5”SiO_2/2所示的硅氧烷单元即D”单元、和R^6”SiO_3/2所示的硅氧烷单元即T”单元、以及它们的组合，R^1”～R^6”各自独立地表示碳原子数1～10的烷基或氢原子。

3.根据权利要求1或2所述的粘接剂，所述成分(B)是环氧值为0.1～5的范围的环氧改性聚有机硅氧烷。

4.根据权利要求1或2所述的粘接剂，加工为晶片背面的研磨。

5.一种叠层体的形成方法，其包含下述工序：

在第一基体的表面涂布权利要求1～4中任一项所述的粘接剂而形成粘接层的第1工序；

将第二基体的表面与该粘接层接合的第2工序；以及

从第一基体侧加热而使该粘接层固化的第3工序。

6.根据权利要求5所述的形成方法，第一基体为支持体，第二基体为晶片，在第2工序中晶片的电路面与第一基体的表面相对。

7.根据权利要求5所述的形成方法，第一基体为晶片，第二基体为支持体，在第2工序中晶片的电路面与第二基体的表面相对。

8.一种剥离方法，其包含下述工序：

在第一基体的表面涂布权利要求1～4中任一项所述的粘接剂而形成粘接层的第1工序；

将第二基体的表面与该粘接层接合的第2工序；

从第一基体侧加热而使该粘接层固化，形成叠层体的第3工序；

对该叠层体进行加工的第4工序；以及

使所述第一基体或第二基体与该粘接层之间剥离的第5工序。