[发明专利]含有环氧改性聚硅氧烷的临时粘接剂

说明书

本发明的课题是提供对晶片的电路面、支持体的旋转涂布性优异，在与粘接层的接合时、晶片背面的加工时的耐热性优异，在晶片背面的研磨后能够容易地剥离，剥离后附着于晶片、支持体的粘接剂能够简单除去的临时粘接剂及其叠层体、使用了其的加工方法。解决手段是一种粘接剂，是用于在将支持体与晶片的电路面之间以能够剥离地的方式粘接并对晶片的背面进行加工的粘接剂，上述粘接剂包含成分(A)和成分(B)，上述成分(A)通过氢化硅烷化反应而固化，上述成分(B)包含环氧改性聚有机硅氧烷，成分(A)与成分(B)的比例以质量％计为99.995：0.005～30：70。成分(B)是环氧值为0.1～5的范围的环氧改性聚有机硅氧烷。一种叠层体的形成方法，其包含下述工序：在第一基体的表面涂布粘接剂而形成粘接层的第1工序；将第二基体与该粘接层接合的第2工序；从第一基体侧加热而使该粘接层固化的第3工序。

技术领域

本发明涉及用于在研磨晶片背面时将晶片固定于支持体的临时粘接剂和使用了该临时粘接剂的叠层体。

背景技术

以往沿2维的平面方向集成的半导体晶片以更加集成化作为目的，要求将平面进一步沿3维方向也集成(叠层)的半导体集成技术。该3维叠层是一边通过硅通孔(TSV：through silicon via)进行接线一边集成为多层的技术。在集成为多层时，通过研磨而将被集成的各个晶片的与形成电路面相反侧(即，背面)薄化，叠层被薄化了的半导体晶片。

薄化前的半导体晶片(这里也简称为晶片)为了用研磨装置研磨而被粘接于支持体。此时的粘接由于必须在研磨后容易剥离，因此称为临时粘接。如果取下时施加大的力则被薄化了半导体晶片有时被切断或变形，为了不发生那样的情况，在临时粘接中，被薄化了的半导体晶片从支持体容易取下。然而，在研磨半导体晶片的背面时不优选半导体晶片因为研磨应力而从支持体脱落或错位。因此，临时粘接所要求的性能是耐受研磨时的应力，在研磨后容易取下。

例如要求相对于研磨时的平面方向具有高应力(强粘接力)，相对于取下时的纵向具有低应力(弱粘接力)的性能。

作为这样的粘接工艺，公开了：具有粘接层和分离层，分离层通过二甲基硅氧烷的等离子体聚合而形成，在研磨后机械分离的方法(参照专利文献1、专利文献2)；将支持基板与半导体晶片用粘接性组合物粘接，将半导体晶片的背面研磨后将粘接剂用蚀刻液除去的方法(参照专利文献3)；以及作为将支持体与半导体晶片粘接的粘接层，包含将含有烯基的有机聚硅氧烷和含有氢甲硅烷基的有机聚硅氧烷用铂催化剂进行了聚合的聚合层、与由热固性聚硅氧烷形成的聚合层的组合的晶片加工体(参照专利文献4、专利文献5，参照专利文献6，参照专利文献7)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2012-510715

专利文献2：日本特表2012-513684

专利文献3：日本特表2008-532313

专利文献4：日本特开2013-179135

专利文献5：日本特开2013-232459

专利文献6：日本特开2006-508540

专利文献7：日本特开2009-528688

发明内容

发明所要解决的课题

提供对晶片的电路面、支持体(支持基板)的旋转涂布性优异，晶片的电路面或支持体与粘接层的接合时(固化时)、晶片背面的加工时的耐热性优异，在晶片背面的研磨后晶片的电路面与支持体能够容易地剥离，剥离后附着于晶片或支持体的粘接层能够简单地除去的临时粘接剂及其叠层体、使用了其的加工方法。

用于解决课题的方法