[发明专利]具有包含TaC的涂层的碳材料及其制造方法有效
申请号: | 201880028002.8 | 申请日: | 2018-04-27 |
公开(公告)号: | CN110573476B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 曺東完 | 申请(专利权)人: | 韩国东海炭素株式会社 |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32;C04B41/87;C04B35/52;C04B38/00;C04B41/45;C04B41/50;C04B41/00 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋融冰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 包含 tac 涂层 材料 及其 制造 方法 | ||
本发明涉及在碳基材上形成有包含TaC(碳化钽)的涂层的碳材料及其制造方法,本发明的具有包含TaC的涂层的碳材料包括碳基材;及在所述碳基材上形成的,由XRD分析的X线回折所发生的(111)面的回折峰值为最大值的包含TaC的涂层。
技术领域
本发明涉及在碳基材上形成有包含TaC(碳化钽)的涂层的碳材料及其制造方法
背景技术
在各个领域正进行着,通过在基材表面采用不同种类的薄膜,提高材料的耐磨性、耐腐蚀性等的研究。其中,由于包含(TaC)的素材涂料技术在耐热性、耐磨性及抗内气体蚀刻性等方面具有比薄膜材料更优异的特征,特别备受关注。目前,在各种各样的产业现场,将包含TaC的涂层的碳材料形成于碳基材上的碳素材料,被使用于半导体用单晶制造装置部材、精密机床、引擎用部件等。
此时,所形成的包含TaC的涂层,由于与基材具有附着力,往往出现问题。因此,许多企业及研究机构对于在碳基材上具有高度附着力的包含TaC的涂层的形成技术,正进行着各种尝试。
最近,可控制具有TaC素材的涂层的硬度或表面耐磨性的技术备受关注。如果能考虑到所需素材的用处,预测所需涂层的物性,并按其可形成具有合理程度物性的包含TaC的涂层,可在产业界的多种领域适用TaC素材。但是,到目前为止,因为没有可精确预测表面刮伤值等物性的技术,在形成包含TaC的涂层的过程中,难以精确预测出将要形成的涂层的物性。此外,为了控制表面硬度、表面刮伤值等,将何种变数要调整至什么程度,是在产业现场还未解决的一个不确定性问题。
发明内容
技术课题
本发明着眼于解决所述问题,用于形成碳基材的附着力优异,并具有包含高硬度和高表面刮痕值的TaC涂层的碳材料。
此外,本发明的另一个目的为在制造包含TaC的涂层的碳材料方面,为应付所需水平的产品物性规格,提供一种将可控制变数(碳基材的选定、包含TaC的涂层的结晶粒大小、回避性特征、X线回折强度等)控制到适当程度的技术。
但是,在本发明要解决的课题并不局限于如上所述的课题,且未提及的其它课题可通过如下说明,为所属领域具有通常知识的人提供理解上的帮助。
问题解决手段
本发明的包含TaC的涂层的碳材料包括碳基材;及在所述碳基材上形成的,由XRD分析的X线回折所发生的(111)面的回折峰值为最大值的包含TaC的涂层。
根据本发明的一个实施例,所述包含TaC的涂层的由X线回折发生的(111)面回折峰值与(200)面回折峰值之比可在0.40以下。
根据本发明的一个实施例,所述包含TaC的涂层的XRD分析的回折线的半宽度可在0.15°以下。
根据本发明的一个实施例,所述包含TaC的涂层的表面硬度可根据以下数学式1计算,
数学式1
表面硬度值(GPa)=-38A2+12A+14至17
A:XRD分析时包含TaC的涂层的(200)面的回折峰值/(111)面的回折峰值。
根据本发明的一个实施例,所述包含TaC的涂层,平均结晶粒大小可为10μm-50μm。
根据本发明的一个实施例,所述包含TaC的涂层的表面硬度可在15GPa以上。
根据本发明的一个实施例,所述包含TaC的涂层的表面刮痕实验值可在3.5N以上。
根据本发明的一个实施例,自所述碳基材表面深度为80μm-150μm的区域的TaC含量可为15vol%至20vol%。
根据本发明的一个实施例,所述包含TaC的涂层的表面刮痕值可根据以下数学式2计算,
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩国东海炭素株式会社,未经韩国东海炭素株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880028002.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的