[发明专利]用于金属栅极的低厚度相关功函数nMOS整合在审
| 申请号： | 201880028696.5 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110582845A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 马伯方;赛沙德利·甘古利;陈世忠;拉杰什·沙西亚那拉亚南;阿达西·巴苏;董琳;吉田尚美;柳尚澔;吴立其 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 覆盖层 金属层 膜堆叠 高k介电层 金属覆盖层 铝界面 基板 | ||
1.一种膜堆叠，包括：
在基板上的高k介电层；
在所述高k介电层上的高k覆盖层；
在所述高k覆盖层上的n金属层，所述n金属层具有与所述高k覆盖层相邻的富铝界面，所述富铝界面在所述高k覆盖层与所述n金属层之间或在所述高k覆盖层与所述高k介电层之间；及
在所述n金属层上的n金属覆盖层。
2.一种形成膜堆叠的方法，所述方法包括以下步骤：
在基板上形成高k介电层；
在所述高k介电层上形成高k覆盖层；
在所述高k覆盖层上形成n金属层，所述n金属层具有与所述高k覆盖层相邻的富铝界面，所述富铝界面在所述高k覆盖层与所述n金属层之间或在所述高k覆盖层与所述高k介电层之间；及
在所述n金属层上形成n金属覆盖层。
3.如权利要求1或2所述的膜堆叠，其中所述高k介电层包括HfO2。
4.如权利要求3所述的膜堆叠，其中所述高k介电层具有在约至约的范围中的厚度。
5.如权利要求1或2所述的膜堆叠，其中所述高k覆盖层包括氮化钛。
6.如权利要求5所述的膜堆叠，其中所述高k覆盖层具有在约至约的范围中的厚度。
7.如权利要求1或2所述的膜堆叠，其中所述n金属层包括钽、硅及铝。
8.如权利要求7所述的膜堆叠，其中所述n金属层具有在约至约的范围中的厚度。
9.如权利要求7所述的膜堆叠，其中铝从所述n金属层迁移通过所述高k覆盖层。
10.如权利要求1或2所述的膜堆叠，其中所述n金属覆盖层包括TiN。
11.如权利要求10所述的膜堆叠，其中所述n金属覆盖层具有在约至的范围中的厚度。
12.如权利要求1或2所述的膜堆叠，在所述高k介电层下方进一步包括氧化硅层。
13.如权利要求12所述的膜堆叠，其中所述氧化硅层具有在约至约的范围中的厚度。
14.如权利要求1或2所述的膜堆叠，在所述n金属覆盖层上方进一步包括金属层，所述金属层包括钨。
15.如权利要求1或2所述的方法，其中在形成所述高k介电层之前所述基板包括氧化硅，所述氧化硅具有在约至约的范围中的厚度，并且所述方法进一步包括以下步骤：在所述n金属覆盖层上方形成金属层，所述金属层包括钨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
