[发明专利]减少或消除钨膜中缺陷的方法

权利要求书

1.一种减少或消除钨膜中的缺陷的方法，包括：

减少或消除设置在基板上和多个沟槽内的具有预定第一厚度的钨膜的第一表面的氧化，其中所述多个沟槽包括预定深度以及小于20纳米的宽度，并且其中当所述第一表面与氧气接触时，在整个所述多个沟槽中，所述预定第一厚度基本上是均匀的，从而所述预定第一厚度基本上不变为第二厚度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中减少或消除氧化的步骤还包括使所述第一表面与还原剂接触。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述还原剂是卤化物型金属前驱物，以在所述第一表面处提供金属卤化物。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述卤化物型金属前驱物是TiCl₄、TaCl₄及其组合中的至少一种。

5.根据权利要求1-4所述的方法，其中所述钨膜包括含氮化物的钨产物。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述含氮化物的钨产物包括氮化钨膜(WN膜)、碳氮化钨膜(WCN膜)或高氮浓度的氮化钨(WNy，y>0.1)。

7.根据权利要求2所述的方法，其中所述还原剂是硅烷前驱物。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述硅烷前驱物包含SiH₄。

9.根据权利要求7和8所述的方法，其中所述钨膜包括钨、低氮浓度的氮化钨(WNx，0<x≤0.1)、低碳浓度的碳化钨(WCx，0<x≤0.10)，高碳浓度的碳化钨(WCy，y>0.1)，任何碳和氮浓度的碳氮化钨(WCN)。

10.根据权利要求1-9所述的方法，其中减少或消除氧化的步骤还包括在所述第一表面上沉积覆盖层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述覆盖层是TiN、TaN、TiSiN、TiAlC或这些材料的组合。

12.根据权利要求1-11所述的方法，其中所述多个沟槽的所述宽度在5到10纳米之间。

13.一种沉积钨膜的方法，包括：

在基板上和多个沟槽内沉积具有第一表面和预定第一厚度的钨膜，其中所述多个沟槽包括预定深度和小于20纳米的宽度，并且其中当所述第一表面与氧气接触时，在整个所述多个沟槽中，所述预定第一厚度基本上是均匀的，从而所述预定第一厚度基本上不变为第二厚度。

14.根据权利要求13所述的方法，其中沉积所述钨膜的步骤还包括使所述第一表面与还原剂接触，其中所述还原剂是卤化物型金属前驱物，以提供硅烷前驱物或在所述第一表面提供金属卤化物。

15.一种减少或消除钨膜中的缺陷的方法，包括：

在基板上和多个沟槽内沉积具有第一表面和预定第一厚度的钨膜，其中所述多个沟槽包括预定深度及小于20纳米的宽度；

使所述第一表面与卤化物型金属前驱物接触；和

使所述第一表面与氧接触，其中所述预定第一厚度在与氧接触时基本上不变为第二厚度。