[发明专利]远程等离子体氧化室

权利要求书

1.一种用于半导体处理腔室的衬里构件，包括：

喷嘴，所述喷嘴包括具有第一开口的第一端和相对于所述第一端的具有第二开口的第二端，所述喷嘴的所述第一开口具有圆形横截面，并且所述喷嘴的所述第二开口具有宽于和浅于所述喷嘴的所述第一开口的椭圆面横截面，所述喷嘴的所述第二开口具有等于或大于所述喷嘴的所述第一开口的横截面面积的横截面面积，其中所述喷嘴的所述第一开口的整个周边和所述喷嘴的所述第二开口的整个周边由连续锥形表面直接连接；

衬里，所述衬里包括具有第一开口的第一端和相对于所述第一端的具有第二开口的第二端，所述衬里的所述第一端直接耦接到所述喷嘴的所述第二端，所述衬里的所述第二开口具有宽于所述衬里的所述第一开口的横截面的横截面，但是具有基本上相同的高度；和

通道，所述通道形成于所述衬里构件中且从所述喷嘴的所述第一端延伸到所述衬里的所述第二端，其中所述通道在所述衬里的所述第二端处宽于在所述喷嘴的所述第一端处，且在所述衬里的所述第二端处浅于在所述喷嘴的所述第一端处。

2.根据权利要求1所述的衬里构件，其中所述衬里构件包括石英。

3.根据权利要求1所述的衬里构件，进一步包括设置在所述通道中的突起。

4.根据权利要求3所述的衬里构件，进一步包括设置在所述通道中的分流器，其中所述分流器由所述突起而固定至所述衬里构件，并且其中所述分流器具有小于所述衬里的高度的高度。

5.根据权利要求4所述的衬里构件，其中所述分流器具有三角形形状。

6.一种衬里组件，包括：

连接器，所述连接器包括具有第一开口的第一端和相对于所述第一端的具有第二开口的第二端，所述连接器的所述第二开口具有等于或大于所述连接器的所述第一开口的横截面面积的横截面面积，所述连接器的所述第一端进一步包括从所述连接器的所述第一开口沿径向向外延伸的第一凸缘，并且所述连接器的所述第二端进一步包括从所述连接器的所述第二开口沿径向向外延伸的第二凸缘；

喷嘴，所述喷嘴包括具有第一开口的第一端和相对于所述第一端的具有第二开口的第二端，所述喷嘴的所述第一端直接耦接到所述连接器的所述第二端，所述喷嘴的所述第一开口具有圆形横截面，并且所述喷嘴的所述第二开口具有宽于和浅于所述喷嘴的所述第一开口的椭圆面横截面，所述喷嘴的所述第二开口具有等于或大于所述喷嘴的所述第一开口的横截面面积的横截面面积，其中所述喷嘴的所述第一开口的整个周边和所述喷嘴的所述第二开口的整个周边由连续锥形表面直接连接；

衬里，所述衬里包括具有第一开口的第一端和相对于所述第一端的具有第二开口的第二端，所述衬里的所述第一端直接耦接到所述喷嘴的所述第二端，所述衬里的所述第二开口具有宽于所述衬里的所述第一开口的横截面的横截面，但是具有基本上相同的高度；和

导管，所述导管形成为穿过所述衬里组件并且从所述连接器的所述第一端延伸到所述衬里的所述第二端，所述导管限定流体流动路径，其中所述流体流动路径在基本上垂直于所述流体流动路径的主轴的第一方向上扩展并且在基本上垂直于所述流体流动路径的所述主轴和所述第一方向的第二方向上变窄。

7.根据权利要求6所述的衬里组件，其中所述连接器的所述第一开口和所述第二开口是圆形。

8.根据权利要求6所述的衬里组件，其中所述喷嘴的所述第一开口具有大于所述连接器的所述第二开口的直径。

9.根据权利要求6所述的衬里组件，其中所述衬里的所述第一开口和所述第二开口具有椭圆面形状。

10.根据权利要求8所述的衬里组件，进一步包括设置在所述衬里中的分流器和形成在所述衬里的内表面上的突起，其中所述分流器由所述突起而固定至所述衬里。