[发明专利]远程等离子体氧化室

说明书

本公开内容的实施方式一般涉及一种用于高深宽比结构的共形氧化的处理腔室。处理腔室包括位于腔室主体的第一侧中的衬里组件和位于基板支撑部中的两个泵送口，基板支撑部邻近腔室主体的与第一侧相对的第二侧。衬里组件包括分流器，以引导流体流离开设置在处理腔室的处理区域中的基板的中心。衬里组件可由石英制成，以尽量减少与处理气体(例如自由基)的相互作用。该衬里组件旨在减少自由基的流动收缩，以致自由基浓度和通量增加。可单独控制两个泵送口以调节通过处理腔室的处理区域的自由基的流动。

技术领域

本公开内容的实施方式一般涉及半导体装置制造，并且具体地涉及用于高深宽比结构的共形氧化的处理腔室。

背景技术

硅集成电路的生产对制造步骤提出了困难的要求，以在增加装置的数量的同时减小芯片上的最小特征尺寸。这些要求已经扩展到制造步骤，包括将不同材料的层沉积到困难的拓扑上并蚀刻这些层内的更多特征。下一代NAND闪存的制造处理涉及特别具有挑战性的装置几何形状和尺寸。NAND是一种非易失性存储技术，不需要电力来保存数据。为了在相同的物理空间内增加存储器容量，三维NAND(3D NAND)的设计已经开发完成。这样的设计典型地引入交替的氧化物层和氮化物层，所述交替的氧化物层和氮化物层被沉积在基板上，然后被蚀刻以产生具有一个或多个表面的结构，其延伸而基本上垂直于基板。一个结构可能有超过100个这样的层。这样的设计可包括深宽比为30：1或更高的高深宽比(HAR)结构。

HAR结构通常涂覆有氮化硅(SiN_x)层。产生均匀厚的氧化层的这种结构的共形氧化是具有挑战性的。需要新的制造步骤来共形地沉积HAR结构上的层，而不是简单地填充间隙和沟槽。

因此，需要改进的处理腔室。

发明内容

本公开内容的实施方式一般涉及半导体装置制造，且尤其一种用于高深宽比结构的共形氧化的处理腔室。在一个实施方式中，一种用于半导体处理腔室的衬里构件，包括：第一端；第二端，该第二端相对于该第一端；和通道，该通道形成于该衬里构件的表面中且从该第一端延伸到该第二端。该通道在该第二端处比在该第一端处更宽，且在该第二端处比在该第一端处更浅。

在另一个实施方式中，一种衬里组件，包括：主体，该主体具有：第一端；第二端，该第二端相对于该第一端；和导管，该导管形成为穿过该主体并且从该第一端延伸到该第二端。该导管限定流体流动路径，且该导管在基本上垂直于该流体流动路径的第一方向上扩展并且在基本上垂直于该流体流动路径和该第一方向的第二方向上变窄。

在另一个实施方式中，一种处理系统，包括：处理腔室，包含：基板支撑部；腔室主体，该腔室主体耦接至该基板支撑部。该腔室主体包含第一侧与相对于该第一侧的第二侧。该处理腔室进一步包含衬里组件，该衬里组件设置于该第一侧中，其中该衬里组件包含分流器。该处理腔室进一步包含分布式泵送结构，该分布式泵送结构位于该基板支撑部中而与该第二侧相邻，以及远程等离子体源，该远程等离子体源由连接器而耦接至该处理腔室，其中该连接器连接至衬里组件以形成流体流动路径，该流体流动路径是从远程等离子体源到处理空间。

附图说明

因此，以详细理解本公开内容的上述特征结构所用方式，可参考实施方式得到上文所简要概述的本公开内容的更具体的描述，一些实施方式图示在附图中。然而，应当注意，附图仅图示了典型实施方式，并且因此不应视为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其他等效实施方式。

图1A是根据本文描述的实施方式的处理系统的横截面图。

图1B是根据本文描述的实施方式的处理系统的透视图。

图1C是根据本文描述的实施方式的处理系统的示意性顶视图。

图2A是根据本文描述的实施方式的腔室主体的透视图。

图2B是根据本文描述的实施方式的包括衬里组件的腔室主体的一部分的横截面透视图。