[发明专利]沉淀二氧化硅及其制造方法

说明书

一种以在其表面上存在特定的酸性位点为特征的沉淀二氧化硅以及一种用于其制造的方法。

本申请要求于2017年5月5日提交的欧洲申请号EP 17305512.0的优先权，出于所有目的将该申请的全部内容通过援引方式并入本申请。

技术领域

本发明涉及沉淀二氧化硅并且涉及一种用于其制造的方法。

背景技术

沉淀二氧化硅作为聚合物组合物中的增强填充剂、作为催化剂载体、作为防结块剂、作为流变改性剂或牙膏组合物中的磨料的用途是已知的。

特别地，始终对可以成功地用于多种应用如聚合物组合物中的增强填充剂和催化剂或催化剂载体的沉淀二氧化硅存在需要。

发明内容

本发明的第一目的是提供一种新颖的沉淀二氧化硅，该新颖的沉淀二氧化硅可以用于多种应用，例如作为催化剂或催化剂载体以及聚合物组合物中的增强填充剂。本发明的第二目的是一种用于制造第一目的的沉淀二氧化硅的方法。

本发明的沉淀二氧化硅的特征除其他之外在于在其表面上存在特定的酸性位点。本发明的二氧化硅在随后的说明中和在权利要求和实例中详细定义。

具体实施方式

本发明的沉淀二氧化硅的特征在于：

-至少一种选自由B、Al、Ga及其混合物组成的组的元素M的量在从0.5至30.0mol％的范围内；

-红外吸收光谱具有在1538cm^-1与1559cm^-1之间的至少一个峰以及在1612与1635cm^-1之间的至少一个峰，所述光谱已在用吡啶化学吸附至饱和随后在真空下在25℃下处理之后测量，其中比率(在1538与1559cm^-1之间的峰下的面积)/(在1612与1635cm^-1之间的峰下的面积)是小于0.80。

先前已经描述了通过红外技术使用吡啶吸附用于研究二氧化硅表面的性质，参见例如Nikiel，L.；Zerda，T.；J.Phys.Chem.[物理化学期刊]，1991，95，4063以及Zaho，X.S.等人；J.Phys.Chem.B[物理化学期刊B]，1997，101，6525。该技术允许在二氧化硅结构中的不同的SiOH位点之间进行区分。

先前已经例如在WO 2015/128404 A1中和在WO 2011/117400 A1中描述了含有铝的沉淀二氧化硅。在这些现有技术文献中披露的沉淀二氧化硅的红外光谱(在用吡啶化学吸附至饱和随后在真空下在25℃下处理之后测量)是在1538与1559cm^-1之间没有展现出任何峰。

有利地，本发明的沉淀二氧化硅的特征在于：

-至少一种选自由B、Al、Ga及其混合物组成的组的元素M的量在从0.5至30.0mol％的范围内；

-红外吸收光谱具有在1538与1559cm^-1之间的至少一个峰以及在1612与1635cm^-1之间的至少一个峰，所述光谱已在用吡啶化学吸附至饱和随后在真空下在25℃下处理之后测量；并且其中在1538与1559cm^-1之间的峰下的面积是至少0.02cm^-1并且比率(在1538与1559cm^-1之间的峰下的面积)/(在1612与1635cm^-1之间的峰下的面积)是小于0.80。

在本说明书中，术语“二氧化硅”和“沉淀二氧化硅”作为同义词使用。