[发明专利]用于CVD反应器的基座及其应用以及基板支架装置

权利要求书

1.一种用于CVD反应器的基座(1)，所述基座(1)由平坦的基体构成，所述基体具有至少一个布置在宽侧(2)上的圆形的表面段(3)，基板支架(13)支承在所述表面段上，其中，所述表面段(3)具有朝向基板支架(13)的方向敞开的通道(5)，所述通道与布置在气体输入管路(8)的端部上的供给口(9)流体连通，从而通过经由各个通道(5)向基板支架的底侧与表面段(3)的平面之间的空隙内供给气流而将基板支架(13)抬升到通风位置并且通过气流的方位角速度分量旋转驱动基板支架(13)，其中，在所述表面段(3)内布置有一个或多个影响局部热传递的、设计为凸起部或凹陷部的干扰元件，其特征在于，所述凸起部或凹陷部与所述通道(5)围绕中心(Z)沿等距方位角的方向相邻地布置，其中，所述凹陷部不与所述供给口(9)相连。

2.按照权利要求1所述的基座，其特征在于，设有插入凹陷部(10)的嵌件(11)，所述嵌件由塑料制成，所述塑料具有与所述基座(1)不同的比热导率。

3.按照权利要求1所述的基座，其特征在于，所述表面段(3)布置在一个平面内，所述凹陷部(10)朝所述平面敞开，所述凹陷部(10)设计为，在向所述通道(5)内供给气流时在所述凹陷部(10)内没有形成气体流动。

4.按照权利要求1所述的基座，其特征在于，所述干扰元件在空间上与所述通道(5)相间隔或者在空间上与所述通道(5)相连。

5.按照权利要求1所述的基座，其特征在于，布置在圆弧线上的干扰元件在围绕中心(Z)的至少40°的圆弧角度上延伸。

6.按照权利要求1所述的基座，其特征在于，所述通道(5)和干扰元件具有围绕中心(Z)的多重对称的布置方式。

7.按照权利要求1所述的基座，其特征在于，所述供给口(9)通入相对于圆形的表面段(3)的中心位于中央的气体分配凹穴(12)，所述气体分配凹穴(12)通过沿径向延伸的通道开口(7)与所述通道(5)相连。

8.按照权利要求1所述的基座，其特征在于，所述通道(5)在螺旋弧线上延伸。

9.按照权利要求1所述的基座，其特征在于，所述干扰元件具有封闭的底，所述封闭的底被连续的壁围绕，所述连续的壁从凸起部或凹陷部(10)的底延伸至平面的边缘。

10.按照权利要求2或3所述的基座，其特征在于，所述凹陷部(10)具有多边形轮廓。

11.按照权利要求2或3所述的基座，其特征在于，所述凹陷部(10)的深度从表面段(3)的中心至表面段(3)的边缘减小。

12.按照权利要求1所述的基座，其特征在于，设有围绕中心(Z)的第一扇形区(A)，至少两个通道(5)延伸穿过所述第一扇形区，并且设有围绕中心(Z)的第二扇形区(B)，仅一个通道(5)延伸穿过所述第二扇形区，其中，所有第一扇形区(A)的角度总和大于180°。

13.按照权利要求12所述的基座，其特征在于，所有第二扇形区(B)的角度总和大于90°。

14.按照权利要求12所述的基座，其特征在于，所有第一扇形区(A)的角度总和大于所有第二扇形区(B)的角度总和。

15.按照权利要求12所述的基座，其特征在于，在至少一个第一扇形区(A)内在至少两个通道(5)之间或者在径向最外侧的通道(5)的径向外侧，干扰元件在至少一个子扇区延伸。

16.按照权利要求12所述的基座，其特征在于，在至少一个第二扇形区(B)内在通道(5)的径向内侧，干扰元件在至少一个子扇区延伸。