[发明专利]用于CVD反应器的基座及其应用以及基板支架装置

说明书

本发明涉及一种用于CVD反应器的基座(1)，其由平坦的、圆盘形的基体构成，所述基体在宽侧(2)上具有通道(5)，所述通道分别布置在一个或多个圆形的分别在一个平面内延伸的用于向基板支架(13)上热传递的表面段(3)内、围绕中心(Z)螺旋线延伸且构造为朝所述平面敞开的凹陷部，所述通道在其相对于圆形的表面段(3)的中心(Z)的径向内端部(6)的区域内分别具有通道开口(7)，所述通道开口与布置在气体输入管路(8)的端部上的供给口(9)流体连通。附加地，在表面段(3)内布置有一个或多个影响局部热传递的干扰元件，所述干扰元件设计为在所述平面内敞开的凹陷部(10)或者插入凹陷部(10)内的嵌件(11)。本发明还涉及前述基座在CVD反应器中的应用以及具有前述基板支架的基板支架装置。

技术领域

本发明涉及一种用于CVD(化学气相沉积)反应器的基座，该基座由平坦的基体构成，所述基体具有至少一个布置在宽侧上的圆形的表面段，基板支架支承在所述表面段上，其中，所述表面段具有朝向基板支架的方向敞开的通道，这些通道与布置在气体输入管路的端部上的供给口流体连通。

本发明还涉及一种基座的应用和由基板支架和基座构成的基座装置。

背景技术

由文献EP 0 242 898 B1已知一种CVD反应器，其中，在反应器壳体中布置有基座，基座可以被加热装置从下方加热。基座具有多个圆形的表面段，在表面段上分别布置有基板支架，该基板支架具有圆盘形状。气体输入管路通入表面段的中心。在那里，气体输入管路构成三个供给口，供给口分别与螺旋形地围绕中心延伸的通道的径向内端部相连。通道朝表面段所延伸的平面的方向敞开，但是通道向上被基板支架遮盖。如果冲洗气体通过供给口进入基板支架的底侧与表面段的平面之间的空隙内，则基板支架被抬升到通风位置，在该通风位置中基板支架支承在气垫上。通道在平面内的螺旋形的布置方式的结果是，在基板支架和表面段的支承平面之间的气体缝隙内构成定向的气流，使得支承多个基板的基板支架发生转动。在此，气体输入到圆盘形的基座的中心。

在文献DE 10 2014 100 024 A1描述了一种CVD反应器的基座，其描述了供气的另外的方案。在此，处理气体从莲蓬头形状的、在基座的整个面上延伸的排气面输入到处理室内。在此，基座也从下方被输入热能。但是，基板在此不支承在可转动的基板支架上，而是在由直接加工到基座内的凹陷部构成的凹槽内。为了影响从基座至基板的热流，凹槽的底具有深度异性部。基板的边缘在此布置在支撑肋条或另外的支撑凸起上。

文献DE 10 2014 103 505 A1公开了一种基座内的嵌件，在制造涂层时使用该嵌件。

在这种类型的装置中，持续地从基座向基板支架运输热量，热量从基板支架运输到与基板支架相对置的被冷却的处理室。此外，热流受到支承在基板支架上的基板的光学特性的影响。如果基板针对红外辐射是透明的，则这可能导致在基板支架的中心区域内出现温度下降。但是如果基板例如是反射性的硅制基板，则在基板下方中央位置的温度大于基板支架的边缘附近的温度。在这种情况下，中心必须相对于边缘被冷却。与之备选地，边缘也可以相对于中心被加热。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，在基座中向基座上侧和基板支架的下侧之间的间隙内输入冲洗气体，在这种类型的基座中实现基板支架的局部温度均匀性并且尤其通过简单的手段补偿在基板支架的中心的温度与基板支架的边缘的温度的偏差。