[发明专利]用于硬掩模及其他图案化应用的高密度低温碳膜

权利要求书

1.一种处理基板的方法，包含以下步骤：

使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，所述处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板，其中所述基板维持在介于约0.5毫托与约10托之间的压力下；以及

通过将第一RF偏压施加于所述静电吸盘，在基板层级产生等离子体，以在所述基板上沉积类金刚石碳膜，其中所述类金刚石碳膜具有大于1.8g/cc的密度及小于-500MPa的应力。

2.如权利要求1所述的方法，其中在所述基板层级产生等离子体的步骤还包含以下步骤：将第二RF偏压施加于所述静电吸盘。

3.如权利要求2所述的方法，其中在自约350KHz至约100MHz的频率下、以具有介于约10瓦特与约3000瓦特之间的功率提供所述第一RF偏压。

4.如权利要求3所述的方法，其中在约13.56MHz的频率下、以具有介于约2500瓦特与约3000瓦特之间的功率提供所述第一RF偏压。

5.如权利要求4所述的方法，其中在自约350KHz至约100MHz的频率下、以具有介于约10瓦特与约3000瓦特之间的功率提供所述第二RF偏压。

6.如权利要求5所述的方法，其中在约2MHz的频率下、以具有介于约800瓦特与约1200瓦特之间的功率提供所述第二RF偏压。

7.如权利要求1所述的方法，还包含以下步骤：将吸附电压施加于定位于所述静电吸盘上的所述基板。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述类金刚石碳膜含有自约50％至约90％的sp³杂化碳原子。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述基板维持在自约10℃至约100℃的温度下。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述类金刚石碳膜具有大于150GPa的弹性模数。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述含烃气体混合物包括选自由以下各项组成的群组的烃前驱物：C₂H₂、C₃H₆、CH₄、C₄H₈、1,3-二甲基金刚烷、二环[2.2.1]七价-2,5-二烯(2,5-降冰片二烯)、金刚合金(C₁₀H₁₆)、降冰片烯(C₇H₁₀)及其组合。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述含烃气体混合物还包含选自由以下各项组成的群组的稀释气体：He、Ar、Xe、N₂、H₂及其组合。

13.一种处理基板的方法，包含以下步骤：

使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，所述处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板，其中所述基板维持在介于约0.5毫托与约10托之间的压力下，且其中所述含烃气体混合物包含乙炔(C₂H₂)；及

通过将第一RF偏压及第二RF偏压施加于所述静电吸盘，在基板层级产生等离子体，以在所述基板上沉积类金刚石碳膜，其中所述类金刚石碳膜具有自约1.8g/cc至约2.5g/cc的密度及自大约-600MPa至大约-300MPa的应力。

14.如权利要求13所述的方法，其中在约13.56MHz的频率下、以具有介于约2500瓦特与约3000瓦特之间的功率提供所述第一RF偏压，且在约2MHz的频率下、以具有介于约800瓦特与约1200瓦特之间的功率提供所述第二RF偏压。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述类金刚石碳膜用作极紫外线(“EUV”)光刻工艺中的下层。